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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 20V 500MA VESM
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500mA（Ta） 150mW（Ta） VESM
  
  型号：SSM3K36MFV,L3F
  仓库库存编号：SSM3K36MFVL3FCT-ND
  别名：SSM3K36MFV(TL3T)CT
  SSM3K36MFV(TL3T)CT-ND
  SSM3K36MFV(TPL3)CT
  SSM3K36MFV(TPL3)CT-ND
  SSM3K36MFVL3FCT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 46pF @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 20V 500MA SSM
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500mA（Ta） 150mW（Ta） SSM
  
  型号：SSM3K36FS,LF
  仓库库存编号：SSM3K36FSLFCT-ND
  别名：SSM3K36FS(T5LFD)CT
  SSM3K36FS(T5LFD)CT-ND
  SSM3K36FS(T5LFT)CT
  SSM3K36FS(T5LFT)CT-ND
  SSM3K36FSLFCT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 46pF @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N/P-CH 20V 0.5A/0.33A ES6
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 20V 500mA, 330mA 150mW Surface Mount ES6 (1.6x1.6)
  
  型号：SSM6L36FE,LM
  仓库库存编号：SSM6L36FELMCT-ND
  别名：SSM6L36FE(TE85LF)CT
  SSM6L36FE(TE85LF)CT-ND
  SSM6L36FELMCT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 46pF @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 20V 1.2A XQFN3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 1.2A（Ta） 350mW（Ta），5.43W（Tc） DFN1006B-3
  
  型号：PMZB290UNE2YL
  仓库库存编号：1727-2328-1-ND
  别名：1727-2328-1
  568-12614-1
  568-12614-1-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 46pF @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET 2N-CH 20V 0.5A US6
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 500mA 200mW Surface Mount US6
  
  型号：SSM6N43FU,LF
  仓库库存编号：SSM6N43FULFCT-ND
  别名：SSM6N43FULFCT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 46pF @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 20V 1.02A SOT323
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.2A（Ta） 350mW（Ta），5.43W（Tc） DFN1006-3
  
  型号：PMZ290UNE2YL
  仓库库存编号：1727-2233-1-ND
  别名：1727-2233-1
  568-12503-1
  568-12503-1-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 46pF @ 10V,
• 无铅
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET 2N-CH 20V 0.5A ES6
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 500mA 150mW Surface Mount ES6 (1.6x1.6)
  
  型号：SSM6N36FE,LM
  仓库库存编号：SSM6N36FELMCT-ND
  别名：SSM6N36FE(TE85LF)CT
  SSM6N36FE(TE85LF)CT-ND
  SSM6N36FELM(TCT
  SSM6N36FELM(TCT-ND
  SSM6N36FELMCT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 46pF @ 10V,
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