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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），66W（Tc） PG-TSDSON-8
  
  型号：BSZ123N08NS3 G
  仓库库存编号：BSZ123N08NS3GINCT-ND
  别名：BSZ123N08NS3GINCT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1700pF @ 40V,
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• EPC
  TRANS GAN 80V 60A BUMPED DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Ta） 模具
  
  型号：EPC2021ENG
  仓库库存编号：917-EPC2021ENG-ND
  别名：917-EPC2021ENG
  EPC2021ENGRB3
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1700pF @ 40V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 80V 35A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 35A（Tc） 30W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK35A08N1,S4X
  仓库库存编号：TK35A08N1S4X-ND
  别名：TK35A08N1,S4X(S
  TK35A08N1,S4X-ND
  TK35A08N1S4X
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1700pF @ 40V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 80V 55A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 80V 55A（Tc） 72W（Tc） TO-220
  
  型号：TK35E08N1,S1X
  仓库库存编号：TK35E08N1S1X-ND
  别名：TK35E08N1,S1X(S
  TK35E08N1S1X
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1700pF @ 40V,
• 无铅
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• EPC
  TRANS GAN 80V 60A BUMPED DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Ta） 模具
  
  型号：EPC2021ENGR
  仓库库存编号：917-EPC2021ENGRCT-ND
  别名：917-EPC2021ENGRCT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1700pF @ 40V,
• 无铅
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