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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 59A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 59A（Tc） 94W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD122N10N3GATMA1
  仓库库存编号：IPD122N10N3GATMA1CT-ND
  别名：IPD122N10N3GATMA1CT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2500pF @ 50V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 63A 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 63A（Tc） 78W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC109N10NS3GATMA1
  仓库库存编号：BSC109N10NS3GATMA1CT-ND
  别名：BSC109N10NS3 GCT
  BSC109N10NS3 GCT-ND
  BSC109N10NS3GATMA1CT-NDTR-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2500pF @ 50V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 620V 15A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 15.5A（Tc） 190W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP17N62K3
  仓库库存编号：497-10711-5-ND
  别名：497-10711-5
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2500pF @ 50V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 40A 8TSDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 2.1W（Ta），63W（Tc） PG-TSDSON-8
  
  型号：BSZ150N10LS3GATMA1
  仓库库存编号：BSZ150N10LS3GATMA1CT-ND
  别名：BSZ150N10LS3GATMA1CT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2500pF @ 50V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 58A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 58A（Tc） 94W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP126N10N3GXKSA1
  仓库库存编号：IPP126N10N3GXKSA1-ND
  别名：IPP126N10N3 G
  IPP126N10N3 G-ND
  SP000683088
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2500pF @ 50V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 58A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 58A（Tc） 94W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB123N10N3 G
  仓库库存编号：IPB123N10N3 GCT-ND
  别名：IPB123N10N3 GCT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2500pF @ 50V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 19A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 19A（Tc） 40W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF24NM65N
  仓库库存编号：497-11394-5-ND
  别名：497-11394-5
  STF24NM65N-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2500pF @ 50V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 19A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Tc） 160W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB24NM65N
  仓库库存编号：497-7002-1-ND
  别名：497-7002-1
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2500pF @ 50V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 63A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 9.4A（Ta），63A（Tc） 114W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC159N10LSF G
  仓库库存编号：BSC159N10LSFGATMA1CT-ND
  别名：BSC159N10LSF GCT
  BSC159N10LSF GCT-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2500pF @ 50V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 35A TO220-FP
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 35A（Tc） 33W（Tc） PG-TO220-FP
  
  型号：IPA126N10N3GXKSA1
  仓库库存编号：IPA126N10N3GXKSA1-ND
  别名：IPA1-ND26N10N3GXKSA1-ND
  IPA126N10N3 G
  IPA126N10N3 G-ND
  IPA126N10N3G
  IPA26N10N3GXKSA1-ND
  SP000485964
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2500pF @ 50V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 19A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 19A（Tc） 160W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP24NM65N
  仓库库存编号：497-7026-5-ND
  别名：497-7026-5
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2500pF @ 50V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 300V 30A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 300V 30A（Tc） 160W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP30NM30N
  仓库库存编号：497-7521-5-ND
  别名：497-7521-5
  STP30NM30N-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2500pF @ 50V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 19A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 19A（Tc） 160W（Tc） TO-247-3
  
  型号：STW24NM65N
  仓库库存编号：497-7035-5-ND
  别名：497-7035-5
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2500pF @ 50V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 19A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 19A（Tc） 160W（Tc） I2PAK
  
  型号：STI24NM65N
  仓库库存编号：STI24NM65N-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2500pF @ 50V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 19A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 19A（Tc） 160W（Tc） TO-247-3
  
  型号：STW20NM65N
  仓库库存编号：STW20NM65N-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2500pF @ 50V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 620V 15A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 620V 15.5A（Tc） 190W（Tc） TO-247-3
  
  型号：STW17N62K3
  仓库库存编号：497-10717-5-ND
  别名：497-10717-5
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2500pF @ 50V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 58A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 58A（Tc） 94W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI126N10N3 G
  仓库库存编号：IPI126N10N3 G-ND
  别名：IPI126N10N3G
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2500pF @ 50V,
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  MOSFET N-CH 100V 59A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 59A（Tc） 94W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD122N10N3GBTMA1
  仓库库存编号：IPD122N10N3GBTMA1CT-ND
  别名：IPD122N10N3 GCT
  IPD122N10N3 GCT-ND
  
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