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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 19.2A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 19.2A（Tc） 2.9W（Ta），5.9W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4483ADY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4483ADY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4483ADY-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3900pF @ 15V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 79W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD040N03LGATMA1
  仓库库存编号：IPD040N03LGATMA1CT-ND
  别名：IPD040N03LGINCT
  IPD040N03LGINCT-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3900pF @ 15V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 80A（Tc） 104W（Tc） 8-TSON Advance（3.3x3.3）
  
  型号：TPN1R603PL,L1Q
  仓库库存编号：TPN1R603PLL1QCT-ND
  别名：TPN1R603PLL1QCT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3900pF @ 15V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 24A 8HSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Ta） 3W（Ta），30W（Tc） 8-HSOP
  
  型号：RS1E240BNTB
  仓库库存编号：RS1E240BNTBCT-ND
  别名：RS1E240BNTBCT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3900pF @ 15V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 70A TO-263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 70A（Tc） 79W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB042N03L G
  仓库库存编号：IPB042N03LGINCT-ND
  别名：IPB042N03LGINCT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3900pF @ 15V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 70A TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 70A（Tc） 79W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP042N03LGXKSA1
  仓库库存编号：IPP042N03LGXKSA1-ND
  别名：IPP042N03L G
  IPP042N03LG
  IPP042N03LGIN
  IPP042N03LGIN-ND
  IPP042N03LGXK
  SP000680792
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3900pF @ 15V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 90A（Tc） 79W（Tc） PG-TO252-3-11
  
  型号：IPD040N03LGBTMA1
  仓库库存编号：IPD040N03LGBTMA1-ND
  别名：SP000254715
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3900pF @ 15V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 70A TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 70A（Tc） 79W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP042N03LGHKSA1
  仓库库存编号：IPP042N03LGHKSA1-ND
  别名：SP000256161
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3900pF @ 15V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 90A TO251-3
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 90A（Tc） 79W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPS040N03LGBKMA1
  仓库库存编号：IPS040N03LGBKMA1-ND
  别名：IPS040N03L G
  IPS040N03LG
  IPS040N03LGIN
  IPS040N03LGIN-ND
  SP000256159
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3900pF @ 15V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CHANNEL 30V 90A TO251-3
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 90A（Tc） 79W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPS040N03LGAKMA1
  仓库库存编号：IPS040N03LGAKMA1-ND
  别名：SP000810846
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3900pF @ 15V,
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