以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 50V 0.2A VMT3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200mA（Ta） 150mW（Ta） VMT3
  
  型号：RYM002N05T2CL
  仓库库存编号：RYM002N05T2CLCT-ND
  别名：RYM002N05T2CLCT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 26pF @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 50V 0.2A EMT3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200mA（Ta） 150mW（Ta） EMT3
  
  型号：RYE002N05TCL
  仓库库存编号：RYE002N05TCLCT-ND
  别名：RYE002N05TCLCT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 26pF @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 1.2V DRIVE EMT3FM
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50V 200mA（Ta） 150mW（Ta） EMT3F（SOT-416FL）
  
  型号：RE1J002YNTCL
  仓库库存编号：RE1J002YNTCLCT-ND
  别名：RE1J002YNTCLCT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 26pF @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Rohm Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 50V 0.2A EMT6
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 50V 200mA 120mW Surface Mount EMT6
  
  型号：EM6K34T2CR
  仓库库存编号：EM6K34T2CRCT-ND
  别名：EM6K34T2CRCT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 26pF @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Rohm Semiconductor
  0.9V DRIVE NCH SILICON MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200mA（Ta） 350mW（Tc） SST3
  
  型号：RYC002N05T316
  仓库库存编号：RYC002N05T316CT-ND
  别名：RYC002N05T316CT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 26pF @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 50V 0.2A UMT3F
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200mA（Ta） 150mW（Ta） UMT3F
  
  型号：RU1J002YNTCL
  仓库库存编号：RU1J002YNTCLCT-ND
  别名：RU1J002YNTCLCT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 26pF @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Rohm Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 50V 200mA 120mW Surface Mount UMT6
  
  型号：UM6K34NTCN
  仓库库存编号：UM6K34NTCNCT-ND
  别名：UM6K34NTCNCT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 26pF @ 10V,
• 无铅
• 搜索