规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 860pF @ 25V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 150V 13A TO-262
详细描述:通孔 P 沟道 150V 13A(Tc) 3.8W(Ta),110W(Tc) TO-262
型号:
IRF6215L
仓库库存编号:
IRF6215L-ND
别名:*IRF6215L
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 860pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 7.7A TO-220FP
详细描述:通孔 P 沟道 100V 7.7A(Ta) TO-220AB 整包
型号:
IRFI9530N
仓库库存编号:
IRFI9530N-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 860pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 150V 13A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR6215TRL
仓库库存编号:
IRFR6215TRL-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 860pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 150V 13A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR6215TR
仓库库存编号:
IRFR6215TR-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 860pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 150V 13A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR6215TRR
仓库库存编号:
IRFR6215TRR-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 860pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 150V 13A TO262
详细描述:通孔 P 沟道 150V 13A(Tc) 3.8W(Ta),110W(Tc) TO-262
型号:
IRF6215L-103
仓库库存编号:
IRF6215L-103-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 860pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-220AB
详细描述:通孔 P 沟道 60V 18.7A(Ta) 81.1W(Ta) PG-TO-220-3
型号:
SPP18P06PHKSA1
仓库库存编号:
SPP18P06PHKSA1-ND
别名:SP000012300
SPP18P06P
SPP18P06PIN
SPP18P06PIN-ND
SPP18P06PX
SPP18P06PXK
SPP18P06PXTIN
SPP18P06PXTIN-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 860pF @ 25V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 25V 66A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 66A(Tc) 93W(Tc) DPAK
型号:
PHD66NQ03LT,118
仓库库存编号:
PHD66NQ03LT,118-ND
别名:934056842118
PHD66NQ03LT /T3
PHD66NQ03LT /T3-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 860pF @ 25V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 25V 66A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 25V 66A(Tc) 93W(Tc) TO-220AB
型号:
PHP66NQ03LT,127
仓库库存编号:
PHP66NQ03LT,127-ND
别名:934056841127
PHP66NQ03LT
PHP66NQ03LT-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 860pF @ 25V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 25V 66A SPT533
详细描述:通孔 N 沟道 25V 66A(Tc) 93W(Tc) I-Pak
型号:
PHU66NQ03LT,127
仓库库存编号:
PHU66NQ03LT,127-ND
别名:934058327127
PHU66NQ03LT
PHU66NQ03LT-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 860pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 18.7A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 18.7A(Ta) 81.1W(Ta) PG-TO263-3
型号:
SPB18P06P
仓库库存编号:
SPB18P06P-ND
别名:SP000012329
SPB18P06PT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 860pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 18.6A TO-251
详细描述:通孔 P 沟道 60V 18.6A(Tc) PG-TO251-3
型号:
SPU18P06P
仓库库存编号:
SPU18P06PIN-ND
别名:SP000012303
SPU18P06P-ND
SPU18P06PIN
SPU18P06PX
SPU18P06PXK
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 860pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 18.6A TO-252
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 18.6A(Tc) 80W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD18P06P
仓库库存编号:
SPD18P06PINCT-ND
别名:SPD18P06PINCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 860pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 150V 13A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR6215CPBF
仓库库存编号:
IRFR6215CPBF-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 860pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 150V 13A TO-262
详细描述:通孔 P 沟道 150V 13A(Tc) 3.8W(Ta),110W(Tc) TO-262
型号:
IRF6215L-103PBF
仓库库存编号:
IRF6215L-103PBF-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 860pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 150V 13A TO-262
详细描述:通孔 P 沟道 150V 13A(Tc) 3.8W(Ta),110W(Tc) TO-262
型号:
IRF6215LPBF
仓库库存编号:
IRF6215LPBF-ND
别名:SP001564822
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 860pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 150V 13A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
AUIRFR6215
仓库库存编号:
AUIRFR6215-ND
别名:SP001517590
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 860pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 150V 13A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 150V 13A(Tc) 3.8W(Ta),110W(Tc) D2PAK
型号:
AUIRF6215S
仓库库存编号:
AUIRF6215S-ND
别名:SP001520176
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 860pF @ 25V,
无铅
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