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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.5A（Tc） 50W（Tc） PG-TO252-3-1
  
  型号：SPD04N50C3ATMA1
  仓库库存编号：SPD04N50C3ATMA1CT-ND
  别名：SPD04N50C3ATMA1CT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 470pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 6.6A（Tc） 2.5W（Ta），44W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD8P10TM
  仓库库存编号：FQD8P10TMCT-ND
  别名：FQD8P10TMCT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 470pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 4A SSOT-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 4A（Ta） 1.6W（Ta） SuperSOT?-6
  
  型号：SI3457DV
  仓库库存编号：SI3457DVCT-ND
  别名：SI3457DVCT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 470pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 100V 6.6A IPAK
  详细描述：通孔 P 沟道 6.6A（Tc） 2.5W（Ta），44W（Tc） I-Pak
  
  型号：FQU8P10TU
  仓库库存编号：FQU8P10TU-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 470pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 6.6A（Tc） 2.5W（Ta），44W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD8P10TM_F085
  仓库库存编号：FQD8P10TM_F085CT-ND
  别名：FQD8P10TM_F085CT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 470pF @ 25V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 8A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 33W（Tc）
  
  型号：SQS462EN-T1_GE3
  仓库库存编号：SQS462EN-T1_GE3CT-ND
  别名：SQS462EN-T1_GE3CT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 470pF @ 25V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 60V 5.4A
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 5.4A 4W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SQ9945BEY-T1_GE3
  仓库库存编号：SQ9945BEY-T1_GE3CT-ND
  别名：SQ9945BEY-T1_GE3CT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 470pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 100V 8A TO-220
  详细描述：通孔 P 沟道 8A（Tc） 65W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP8P10
  仓库库存编号：FQP8P10FS-ND
  别名：FQP8P10-ND
  FQP8P10FS
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 470pF @ 25V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 7A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Tc） 78W（Tc） TO-263
  
  型号：R6007KNJTL
  仓库库存编号：R6007KNJTLCT-ND
  别名：R6007KNJTLCT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 470pF @ 25V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 7A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 46W（Tc） TO-220FM
  
  型号：R6007KNX
  仓库库存编号：R6007KNX-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 470pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 100V 8A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 8A（Tc） 3.75W（Ta），65W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB8P10TM
  仓库库存编号：FQB8P10TMCT-ND
  别名：FQB8P10TMCT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 470pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 560V 4.5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.5A（Tc） 50W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD04N50C3
  仓库库存编号：SPD04N50C3INCT-ND
  别名：SPD04N50C3INCT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 470pF @ 25V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: >800V TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 2.5A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
  
  型号：DMN90H8D5HCT
  仓库库存编号：DMN90H8D5HCT-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 470pF @ 25V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: >800V TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 2.5A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
  
  型号：DMN95H8D5HCT
  仓库库存编号：DMN95H8D5HCT-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 470pF @ 25V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 900V 2.5A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 2.5A（Ta） 40W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：2SK3566(STA4,Q,M)
  仓库库存编号：2SK3566(STA4QM)-ND
  别名：2SK3566(Q)
  2SK3566(STA4QM)
  2SK3566Q
  2SK3566Q-ND
  2SK3566STA4QM
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 470pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 560V 4.5A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 560V 4.5A（Tc） 50W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB04N50C3ATMA1
  仓库库存编号：SPB04N50C3ATMA1TR-ND
  别名：SP000014477
  SPB04N50C3
  SPB04N50C3-ND
  SPB04N50C3INTR
  SPB04N50C3INTR-ND
  SPB04N50C3XT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 470pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 100V 5.3A TO-220F
  详细描述：通孔 P 沟道 100V 5.3A（Tc） 28W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF8P10
  仓库库存编号：FQPF8P10-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 470pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 6.6A（Tc） 2.5W（Ta），44W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD8P10TF
  仓库库存编号：FQD8P10TF-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 470pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 100V 8A I2PAK
  详细描述：通孔 P 沟道 100V 8A（Tc） 3.75W（Ta），65W（Tc） I2PAK（TO-262）
  
  型号：FQI8P10TU
  仓库库存编号：FQI8P10TU-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 470pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 6.6A（Tc） 2.5W（Ta），44W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD8P10TM_SB82052
  仓库库存编号：FQD8P10TM_SB82052-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 470pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 6.6A（Tc） 2.5W（Ta），44W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD8P10TF_NB82052
  仓库库存编号：FQD8P10TF_NB82052-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 470pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 6.6A（Tc） 2.5W（Ta），44W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD8P10TM_F080
  仓库库存编号：FQD8P10TM_F080-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 470pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 560V 4.5A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 560V 4.5A（Tc） 31W（Tc） PG-TO220-FP
  
  型号：SPA04N50C3XKSA1
  仓库库存编号：SPA04N50C3XKSA1-ND
  别名：SP000216298
  SPA04N50C3
  SPA04N50C3IN
  SPA04N50C3IN-ND
  SPA04N50C3X
  SPA04N50C3XK
  SPA04N50C3XTIN
  SPA04N50C3XTIN-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 470pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 560V 4.5A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 560V 4.5A（Tc） 50W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP04N50C3HKSA1
  仓库库存编号：SPP04N50C3HKSA1-ND
  别名：SPP04N50C3
  SPP04N50C3IN
  SPP04N50C3IN-ND
  SPP04N50C3X
  SPP04N50C3XK
  SPP04N50C3XTIN
  SPP04N50C3XTIN-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 470pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 560V 4.5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 560V 4.5A（Tc） 50W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD04N50C3T
  仓库库存编号：SPD04N50C3XTINCT-ND
  别名：SPD04N50C3XTINCT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 470pF @ 25V,
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