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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 42A（Tc） 140W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR3710ZTRPBF
  仓库库存编号：IRFR3710ZTRPBFCT-ND
  别名：IRFR3710ZTRPBFCT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2930pF @ 25V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 105V 47A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 47A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
  
  型号：PHP45NQ11T,127
  仓库库存编号：1727-4650-ND
  别名：1727-4650
  568-5767
  568-5767-5
  568-5767-5-ND
  568-5767-ND
  934058294127
  PHP45NQ11T
  PHP45NQ11T,127-ND
  PHP45NQ11T-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2930pF @ 25V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 42A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 42A（Tc） 140W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：IRFU3710ZPBF
  仓库库存编号：IRFU3710ZPBF-ND
  别名：*IRFU3710ZPBF
  64-4138PBF
  64-4138PBF-ND
  SP001550264
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2930pF @ 25V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 42A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 42A（Tc） 140W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：IRFU3710Z
  仓库库存编号：IRFU3710Z-ND
  别名：*IRFU3710Z
  SP001565168
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2930pF @ 25V,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 42A（Tc） 140W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR3710ZTR
  仓库库存编号：IRFR3710ZTR-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2930pF @ 25V,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 42A（Tc） 140W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR3710ZTRL
  仓库库存编号：IRFR3710ZTRL-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2930pF @ 25V,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 42A（Tc） 140W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR3710ZTRR
  仓库库存编号：IRFR3710ZTRR-ND
  别名：SP001575918
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2930pF @ 25V,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 42A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 42A（Tc） 140W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：IRFU3710Z-701P
  仓库库存编号：IRFU3710Z-701P-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2930pF @ 25V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 42A（Tc） 140W（Tc） D-Pak
  
  型号：AUIRFR3710Z
  仓库库存编号：AUIRFR3710Z-ND
  别名：SP001519588
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2930pF @ 25V,
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