以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 80A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 150W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB054N08N3 G
  仓库库存编号：IPB054N08N3 GCT-ND
  别名：IPB054N08N3 GCT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4750pF @ 40V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 150W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD053N08N3GATMA1
  仓库库存编号：IPD053N08N3GATMA1CT-ND
  别名：IPD053N08N3GATMA1CT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4750pF @ 40V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 60A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 60A（Tc） 39W（Tc） PG-TO220-FP
  
  型号：IPA057N08N3GXKSA1
  仓库库存编号：IPA057N08N3GXKSA1-ND
  别名：IPA057N08N3 G
  IPA057N08N3 G-ND
  IPA057N08N3G
  SP000454442
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4750pF @ 40V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 150W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP057N08N3GXKSA1
  仓库库存编号：IPP057N08N3GXKSA1-ND
  别名：IPP057N08N3 G
  IPP057N08N3 G-ND
  IPP057N08N3G
  SP000680810
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4750pF @ 40V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 80A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 80V 80A（Tc） 150W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI057N08N3 G
  仓库库存编号：IPI057N08N3 G-ND
  别名：SP000395182
  SP000680662
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4750pF @ 40V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 90A（Tc） 150W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD053N08N3GBTMA1
  仓库库存编号：IPD053N08N3GBTMA1CT-ND
  别名：IPD053N08N3 GCT
  IPD053N08N3 GCT-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4750pF @ 40V,
• 无铅
• 搜索