规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1870pF @ 25V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 200V 32.7A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 32.7A(Tc) 230W(Tc) D2PAK
型号:
PHB33NQ20T,118
仓库库存编号:
1727-4765-1-ND
别名:1727-4765-1
568-5942-1
568-5942-1-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1870pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 12A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 180W(Tc) TO-247(IXFH)
型号:
IXFH12N50F
仓库库存编号:
IXFH12N50F-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1870pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 120W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR3915TRPBF
仓库库存编号:
IRLR3915TRPBFCT-ND
别名:IRLR3915TRPBFCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1870pF @ 25V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 200V 32.7A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 32.7A(Tc) 230W(Tc) TO-220AB
型号:
PHP33NQ20T,127
仓库库存编号:
1727-4647-ND
别名:1727-4647
568-5764
568-5764-5
568-5764-5-ND
568-5764-ND
934058107127
PHP33NQ20T
PHP33NQ20T,127-ND
PHP33NQ20T-ND
PHP33NQ20T127
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1870pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 55V 30A(Tc) 120W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRLU3915PBF
仓库库存编号:
IRLU3915PBF-ND
别名:*IRLU3915PBF
SP001578942
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1870pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 850V 6.7A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 850V 6.7A(Tc) 35W(Tc) TO-220FP
型号:
STF8NK85Z
仓库库存编号:
STF8NK85Z-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1870pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 850V 6.7A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 850V 6.7A(Tc) 150W(Tc) TO-220AB
型号:
STP8NK85Z
仓库库存编号:
497-5205-5-ND
别名:497-5205-5
STP8NK85Z-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1870pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 61A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 30A(Tc) 120W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
AUIRLR3915
仓库库存编号:
AUIRLR3915-ND
别名:SP001516276
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1870pF @ 25V,
无铅
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