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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CHAN 200V SO8L
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12A（Tc） 83W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SQJ431EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJ431EP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJ431EP-T1_GE3CT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4355pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 70A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 70A（Tc） 125W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP70N10S312AKSA1
  仓库库存编号：IPP70N10S312AKSA1-ND
  别名：IPP70N10S3-12
  IPP70N10S3-12-ND
  IPP70N10S312
  SP000407122
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4355pF @ 25V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 70A（Tc） 125W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB70N10S312ATMA1
  仓库库存编号：IPB70N10S312ATMA1CT-ND
  别名：IPB70N10S3-12INCT
  IPB70N10S3-12INCT-ND
  IPB70N10S312ATMA1CT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4355pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 70A（Tc） 125W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD70N10S312ATMA1
  仓库库存编号：IPD70N10S312ATMA1CT-ND
  别名：IPD70N10S3-12CT
  IPD70N10S3-12CT-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4355pF @ 25V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO-252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120V 70A（Tc） 125W（Tc） PG-TO252-3-11
  
  型号：IPD70N12S311ATMA1
  仓库库存编号：IPD70N12S311ATMA1-ND
  别名：SP001400108
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4355pF @ 25V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 70A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 70A（Tc） 125W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI70N10S312AKSA1
  仓库库存编号：IPI70N10S312AKSA1-ND
  别名：IPI70N10S3-12
  IPI70N10S3-12-ND
  SP000407124
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4355pF @ 25V,
• 无铅
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