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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 12A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 110W（Tc） DPAK
  
  型号：STD16N60M2
  仓库库存编号：497-15461-1-ND
  别名：497-15461-1
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 700pF @ 100V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 12A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 110W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：STU16N60M2
  仓库库存编号：497-16025-5-ND
  别名：497-16025-5
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 700pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 10.3A（Tc） 31W（Tc） PG-TO-220-FP
  
  型号：IPA60R400CEXKSA1
  仓库库存编号：IPA60R400CEXKSA1-ND
  别名：SP001276040
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 700pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 10.6A TO220-FP
  详细描述：通孔 N 沟道 10.6A（Tc） 31W（Tc） PG-TO-220-FP
  
  型号：IPA60R380C6
  仓库库存编号：IPA60R380C6-ND
  别名：IPA60R380C6XKSA1
  SP000660632
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 700pF @ 100V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 12A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF16N60M2
  仓库库存编号：497-16013-5-ND
  别名：497-16013-5
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 700pF @ 100V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 12A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 110W（Tc） TO-220
  
  型号：STP16N60M2
  仓库库存编号：497-16022-5-ND
  别名：497-16022-5
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 700pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 10.6A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 10.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP60R380E6XKSA1
  仓库库存编号：IPP60R380E6XKSA1-ND
  别名：IPP60R380E6
  IPP60R380E6-ND
  SP000795310
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 700pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 10.6A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 10.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP60R380C6
  仓库库存编号：IPP60R380C6-ND
  别名：IPP60R380C6XKSA1
  SP000645062
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 700pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 10.6A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 10.6A（Tc） 31W（Tc） PG-TO-220-FP
  
  型号：IPA60R380E6XKSA1
  仓库库存编号：IPA60R380E6XKSA1-ND
  别名：IPA60R380E6
  IPA60R380E6-ND
  SP000795300
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 700pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 10.6A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB60R380C6
  仓库库存编号：IPB60R380C6CT-ND
  别名：IPB60R380C6CT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 700pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R380C6ATMA1
  仓库库存编号：IPD60R380C6ATMA1CT-ND
  别名：IPD60R380C6ATMA1CT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 700pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO-252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10.3A（Tc） 83W（Tc） TO-252-3
  
  型号：IPD60R400CEATMA1
  仓库库存编号：IPD60R400CEATMA1CT-ND
  别名：IPD60R400CEATMA1CT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 700pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 15A（Tc） 31W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPAW60R380CEXKSA1
  仓库库存编号：IPAW60R380CEXKSA1-ND
  别名：SP001391616
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 700pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 10.6A TO262
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 10.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI60R380C6XKSA1
  仓库库存编号：IPI60R380C6XKSA1-ND
  别名：IPI60R380C6
  IPI60R380C6-ND
  SP000660630
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 700pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 10.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R380C6
  仓库库存编号：IPD60R380C6INCT-ND
  别名：IPD60R380C6INCT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 700pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET NCH 600V 10.6A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 10.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R380E6BTMA1
  仓库库存编号：IPD60R380E6BTMA1-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 700pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET NCH 600V 10.6A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 10.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R380E6ATMA2
  仓库库存编号：IPD60R380E6ATMA2-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 700pF @ 100V,
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