规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1680pF @ 25V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 63A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 63A(Tc) 107W(Tc) TO-220AB
型号:
NTP5864NG
仓库库存编号:
NTP5864NGOS-ND
别名:NTP5864NG-ND
NTP5864NGOS
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1680pF @ 25V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 34A(Tc) 104W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM230N06CP ROG
仓库库存编号:
TSM230N06CP ROGTR-ND
别名:TSM230N06CP ROGTR
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1680pF @ 25V,
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 34A(Tc) 104W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM230N06CP ROG
仓库库存编号:
TSM230N06CP ROGCT-ND
别名:TSM230N06CP ROGCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1680pF @ 25V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 34A(Tc) 104W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM230N06CP ROG
仓库库存编号:
TSM230N06CP ROGDKR-ND
别名:TSM230N06CP ROGDKR
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1680pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 6.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 6.3A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7488TRPBF
仓库库存编号:
IRF7488TRPBFCT-ND
别名:IRF7488TRPBFCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1680pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 12A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 12A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF9388TRPBF
仓库库存编号:
IRF9388TRPBFCT-ND
别名:IRF9388TRPBFCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1680pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 6.6A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 6.6A(Tc) 167W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP7N80C
仓库库存编号:
FQP7N80C-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1680pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 6.6A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 6.6A(Tc) 56W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF7N80C
仓库库存编号:
FQPF7N80C-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1680pF @ 25V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 27.5A(Ta) 120W(Tj) D2PAK
型号:
NTB25P06T4G
仓库库存编号:
NTB25P06T4GOSCT-ND
别名:NTB25P06T4GOSCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1680pF @ 25V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 11A DFN5
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Ta),55A(Tc) 3.8W(Ta),94W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS6B14NLWFT1G
仓库库存编号:
NVMFS6B14NLWFT1GOSCT-ND
别名:NVMFS6B14NLWFT1GOSCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1680pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 12A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 12A(Tc) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF9328TRPBF
仓库库存编号:
IRF9328TRPBFCT-ND
别名:IRF9328TRPBFCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1680pF @ 25V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 11A DFN5
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Ta),55A(Tc) 3.8W(Ta),94W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS6B14NLT1G
仓库库存编号:
NVMFS6B14NLT1GOSCT-ND
别名:NVMFS6B14NLT1GOSCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1680pF @ 25V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 27.5A(Ta) 120W(Tj) D2PAK
型号:
NVB25P06T4G
仓库库存编号:
NVB25P06T4G-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1680pF @ 25V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 7A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 7A(Tc) 198W(Tc) TO-3PN
型号:
FQA7N80C_F109
仓库库存编号:
FQA7N80C_F109-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1680pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 7A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 800V 7A(Tc) 198W(Tc) TO-3P
型号:
FQA7N80C
仓库库存编号:
FQA7N80C-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1680pF @ 25V,
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 27.5A(Ta) 120W(Tj) D2PAK
型号:
NTB25P06
仓库库存编号:
NTB25P06-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1680pF @ 25V,
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