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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 50A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 150W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD200N15N3GATMA1
  仓库库存编号：IPD200N15N3GATMA1CT-ND
  别名：IPD200N15N3GATMA1CT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1820pF @ 75V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 50A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 150W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB200N15N3 G
  仓库库存编号：IPB200N15N3 GCT-ND
  别名：IPB200N15N3 GCT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1820pF @ 75V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 50A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 150W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP200N15N3GXKSA1
  仓库库存编号：IPP200N15N3GXKSA1-ND
  别名：IPP200N15N3 G
  IPP200N15N3 G-ND
  IPP200N15N3G
  SP000680884
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1820pF @ 75V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 56A（Tc） 96W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC160N15NS5ATMA1
  仓库库存编号：BSC160N15NS5ATMA1CT-ND
  别名：BSC160N15NS5ATMA1CT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1820pF @ 75V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 50A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 50A（Tc） 150W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI200N15N3 G
  仓库库存编号：IPI200N15N3 G-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1820pF @ 75V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 50A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 50A（Tc） 150W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD200N15N3GBTMA1
  仓库库存编号：IPD200N15N3GBTMA1CT-ND
  别名：IPD200N15N3 GCT
  IPD200N15N3 GCT-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1820pF @ 75V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 50A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 50A（Tc） 150W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP200N15N3GHKSA1
  仓库库存编号：IPP200N15N3GHKSA1-ND
  别名：SP000414714
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1820pF @ 75V,
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