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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 23A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),139W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC028N06LS3GATMA1
仓库库存编号:
BSC028N06LS3GATMA1CT-ND
别名:BSC028N06LS3 GCT
BSC028N06LS3 GCT-ND
BSC028N06LS3GATMA1CT-NDTR-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 13000pF @ 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 90A(Tc) 167W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB034N06L3 G
仓库库存编号:
IPB034N06L3 GCT-ND
别名:IPB034N06L3 GCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 13000pF @ 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 90A(Tc) 167W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP037N06L3GXKSA1
仓库库存编号:
IPP037N06L3GXKSA1-ND
别名:IPP037N06L3 G
IPP037N06L3 G-ND
IPP037N06L3G
SP000680774
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 13000pF @ 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 188W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP032N06N3GXKSA1
仓库库存编号:
IPP032N06N3GXKSA1-ND
别名:IPP032N06N3 G
IPP032N06N3 G-ND
IPP032N06N3G
SP000680770
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 13000pF @ 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 188W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI032N06N3GAKSA1
仓库库存编号:
IPI032N06N3GAKSA1-ND
别名:SP000680650
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 13000pF @ 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 84A TO220-3-31
详细描述:通孔 N 沟道 84A(Tc) 41W(Tc) PG-TO220-3-31 整包
型号:
IPA032N06N3GXKSA1
仓库库存编号:
IPA032N06N3GXKSA1-ND
别名:IPA032N06N3 G
IPA032N06N3 G-ND
IPA032N06N3G
SP000453608
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 13000pF @ 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 167W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD031N06L3 G
仓库库存编号:
IPD031N06L3 GCT-ND
别名:IPD031N06L3 GCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 13000pF @ 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 188W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB029N06N3 G
仓库库存编号:
IPB029N06N3 GCT-ND
别名:IPB029N06N3 GCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 13000pF @ 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 120A(Tc) 188W(Tc) PG-TO263-3
型号:
IPB029N06N3GE8187ATMA1
仓库库存编号:
IPB029N06N3GE8187ATMA1TR-ND
别名:IPB029N06N3 G E8187
IPB029N06N3 G E8187-ND
SP000939334
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 13000pF @ 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 120A(Tc) 188W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI032N06N3 G
仓库库存编号:
IPI032N06N3 G-ND
别名:SP000451490
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 13000pF @ 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 90A(Tc) 167W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI037N06L3GHKSA1
仓库库存编号:
IPI037N06L3GHKSA1-ND
别名:IPI037N06L3 G
IPI037N06L3 G-ND
SP000397910
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 13000pF @ 30V,
无铅
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MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 90A(Tc) 167W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD035N06L3GATMA1
仓库库存编号:
IPD035N06L3GATMA1CT-ND
别名:IPD035N06L3 GCT
IPD035N06L3 GCT-ND
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