规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 610pF @ 25V,
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技术
Vgs（最大值）
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
FET 类型
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
FET 功能
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
功率耗散（最大值）
漏源电压（Vdss）
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63(5)
TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB(6)
TO-220-3(3)
TO-220-3 整包(1)
6-TSSOP，SC-88，SOT-363(1)
TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA(1)
TO-220-5(1)
TO-220-3 全封装，隔离接片(2)
TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA(2)
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MOSFET（金属氧化物）(22)
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±30V(9)
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17nC @ 10V(8)
18nC @ 10V(1)
30nC @ 10V(1)
38nC @ 10V(11)
6.6nC @ 4.5V(1)
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65 毫欧 @ 3.8A，4.5V(1)
1.8 欧姆 @ 1.5A，10V(1)
1.5 欧姆 @ 2.7A，10V(10)
700 毫欧 @ 2.75A，10V(2)
1.5 欧姆 @ 1.9A，10V(2)
700 毫欧 @ 3.5A，10V(1)
1.8 欧姆 @ 1.75A，10V(3)
1.8 欧姆 @ 2.25A，10V(1)
2.6 欧姆 @ 1.15A，10V(1)
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10V(21)
2.5V，4.5V(1)
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N 沟道(22)
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3A（Tc）(1)
3.5A（Tc）(3)
3.1A（Tc）(2)
2.3A（Tc）(1)
7A（Tc）(1)
4.5A（Tc）(11)
2.8A（Tc）(1)
5.5A（Tc）(2)
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610pF @ 25V(22)
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-(21)
电流感测(1)
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4V @ 250μA(13)
5V @ 250μA(8)
1.6V @ 250μA(1)
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3.3W（Tc）(1)
100W（Tc）(1)
35W（Tc）(2)
2.5W（Ta），50W（Tc）(5)
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39W（Tc）(1)
2.5W（Ta），41W（Tc）(1)
3.1W（Ta），74W（Tc）(5)
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 4.5A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 4.5A（Tc） 74W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF830PBF
仓库库存编号：
IRF830PBF-ND
别名：*IRF830PBF
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 610pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 300V 5.5A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 5.5A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） D-Pak
型号：
FQD7N30TM
仓库库存编号：
FQD7N30TMCT-ND
别名：FQD7N30TMCT
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 610pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 3.1A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 3.1A（Tc） 35W（Tc） TO-220-3
型号：
IRFI830GPBF
仓库库存编号：
IRFI830GPBF-ND
别名：*IRFI830GPBF
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 610pF @ 25V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 4.5A（Tc） 74W（Tc）
型号：
IRF830STRLPBF
仓库库存编号：
IRF830STRLPBFCT-ND
别名：IRF830STRLPBFCT
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 610pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 4.5A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 4.5A（Tc） 3.1W（Ta），74W（Tc） TO-262-3
型号：
IRF830LPBF
仓库库存编号：
IRF830LPBF-ND
别名：*IRF830LPBF
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 610pF @ 25V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 3.1A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 3.1A（Tc） 35W（Tc） TO-220-3
型号：
IRFI830G
仓库库存编号：
IRFI830G-ND
别名：*IRFI830G
Q932707
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 610pF @ 25V,
含铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 4.5A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 500V 4.5A（Tc） 100W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF830
仓库库存编号：
497-2732-5-ND
别名：497-2732-5
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 610pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 4.5A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 500V 4.5A（Tc） 74W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF830
仓库库存编号：
IRF830IR-ND
别名：*IRF830
IRF830IR
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 610pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 4.5A（Tc） 3.1W（Ta），74W（Tc） D2PAK
型号：
IRF830S
仓库库存编号：
IRF830S-ND
别名：*IRF830S
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 610pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 4.5A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 500V 4.5A（Tc） 3.1W（Ta），74W（Tc） I2PAK
型号：
IRF830L
仓库库存编号：
IRF830L-ND
别名：*IRF830L
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 610pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 4.5A（Tc） 3.1W（Ta），74W（Tc） D2PAK
型号：
IRF830STRL
仓库库存编号：
IRF830STRL-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 610pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 4.5A（Tc） 3.1W（Ta），74W（Tc） D2PAK
型号：
IRF830STRR
仓库库存编号：
IRF830STRR-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 610pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 4.5A TO-220-5
详细描述：通孔 N 沟道 500V 4.5A（Tc） 74W（Tc） TO-220-5
型号：
IRC830PBF
仓库库存编号：
IRC830PBF-ND
别名：*IRC830PBF
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 610pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 300V 5.5A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 300V 5.5A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） D-Pak
型号：
FQD7N30TF
仓库库存编号：
FQD7N30TF-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 610pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 3.5A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 3.5A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） D-Pak
型号：
FQD5N50TM
仓库库存编号：
FQD5N50TM-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 610pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 300V 7A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 300V 7A（Tc） 3.13W（Ta），85W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FQB7N30TM
仓库库存编号：
FQB7N30TM-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 610pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 3.5A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 500V 3.5A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） I-Pak
型号：
FQU5N50TU
仓库库存编号：
FQU5N50TU-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 610pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 3.5A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 3.5A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） D-Pak
型号：
FQD5N50TF
仓库库存编号：
FQD5N50TF-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 610pF @ 25V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 4.5A（Tc） 3.13W（Ta），85W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FQB5N50TM
仓库库存编号：
FQB5N50TM-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 610pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 3A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 500V 3A（Tc） 39W（Tc） TO-220F
型号：
FQPF5N50
仓库库存编号：
FQPF5N50-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 610pF @ 25V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 2.3A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 2.3A（Tc） 2.5W（Ta），41W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR420BTM
仓库库存编号：
IRFR420BTM-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 610pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 2.8A SC70
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 2.8A（Tc） 3.3W（Tc） SC-70-6（SOT-363）
型号：
SQ1470EH-T1-GE3
仓库库存编号：
SQ1470EH-T1-GE3CT-ND
别名：SQ1470EH-T1-GE3CT
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 610pF @ 25V,
无铅
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