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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 214W（Tc） PG-TO263-3
  
  型号：IPB042N10N3 G
  仓库库存编号：IPB042N10N3 GCT-ND
  别名：IPB042N10N3 GCT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 8410pF @ 50V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 214W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP045N10N3GXKSA1
  仓库库存编号：IPP045N10N3GXKSA1-ND
  别名：IPP045N10N3 G
  IPP045N10N3 G-ND
  IPP045N10N3G
  SP000680794
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 8410pF @ 50V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 64A TO220-FP
  详细描述：通孔 N 沟道 64A（Tc） 39W（Tc） PG-TO220-FP
  
  型号：IPA045N10N3GXKSA1
  仓库库存编号：IPA045N10N3GXKSA1-ND
  别名：IPA045N10N3 G
  IPA045N10N3 G-ND
  IPA045N10N3G
  SP000478912
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 8410pF @ 50V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 214W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI045N10N3 G
  仓库库存编号：IPI045N10N3 G-ND
  别名：IPI045N10N3G
  IPI045N10N3GXKSA1
  SP000482424
  SP000683068
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 8410pF @ 50V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 160A（Tc） 214W（Tc） PG-TO263-7
  
  型号：IPB039N10N3 G
  仓库库存编号：IPB039N10N3 GCT-ND
  别名：IPB039N10N3 GCT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 8410pF @ 50V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 100A（Tc） 214W（Tc） PG-TO263-3
  
  型号：IPB042N10N3GE8187ATMA1
  仓库库存编号：IPB042N10N3GE8187ATMA1TR-ND
  别名：IPB042N10N3 G E8187
  IPB042N10N3 G E8187-ND
  IPB042N10N3 G E8187TR-ND
  SP000939332
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 8410pF @ 50V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 160A（Tc） 214W（Tc） PG-TO263-7
  
  型号：IPB039N10N3GE8187ATMA1
  仓库库存编号：IPB039N10N3GE8187ATMA1TR-ND
  别名：IPB039N10N3 G E8187
  IPB039N10N3 G E8187-ND
  IPB039N10N3 G E8187TR-ND
  SP000939340
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 8410pF @ 50V,
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