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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 36A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 36A（Tc） 140W（Tc） TO-220AB
型号：
IRL540NPBF
仓库库存编号：
IRL540NPBF-ND
别名：*IRL540NPBF
SP001576440
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1800pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3-11
型号：
IPD30N06S2L13ATMA4
仓库库存编号：
IPD30N06S2L13ATMA4CT-ND
别名：IPD30N06S2L13ATMA4CT
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1800pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 7.6A 8SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 7.6A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
FDS3580
仓库库存编号：
FDS3580FSCT-ND
别名：FDS3580FSCT
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1800pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 23A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 23A（Tc） 54W（Tc） TO-220AB 整包
型号：
IRLI540NPBF
仓库库存编号：
IRLI540NPBF-ND
别名：*IRLI540NPBF
SP001568964
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1800pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 16A 1212-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 16A（Tc） 62.5W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SQS484ENW-T1_GE3
仓库库存编号：
SQS484ENW-T1_GE3CT-ND
别名：SQS484ENW-T1_GE3CT
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1800pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 19A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Tc） 3W（Ta），136W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
SUD19N20-90-E3
仓库库存编号：
SUD19N20-90-E3CT-ND
别名：SUD19N20-90-E3CT
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1800pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 25.5A 131M
详细描述：表面贴装 N 沟道 25.5A（Tc） 417W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FQB27N25TM_F085
仓库库存编号：
FQB27N25TM_F085CT-ND
别名：FQB27N25TM_F085CT
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1800pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 25.5A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 25.5A（Tc） 3.13W（Ta），417W（Tc） I2PAK（TO-262）
型号：
FQI27N25TU_F085
仓库库存编号：
FQI27N25TU_F085-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1800pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7413TRPBF
仓库库存编号：
IRF7413PBFCT-ND
别名：*IRF7413TRPBF
IRF7413PBFCT
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1800pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 36A（Tc） 3.8W（Ta），140W（Tc） D2PAK
型号：
IRL540NSTRLPBF
仓库库存编号：
IRL540NSTRLPBFCT-ND
别名：IRL540NSTRLPBFCT
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1800pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 20A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 33.8W（Tc） TO-220F
型号：
FDPF3860T
仓库库存编号：
FDPF3860T-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1800pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 17A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
型号：
IRL640PBF
仓库库存编号：
IRL640PBF-ND
别名：*IRL640PBF
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1800pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 43.5A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 43.5A（Tc） 146W（Tc） TO-220AB
型号：
FQP44N10
仓库库存编号：
FQP44N10FS-ND
别名：FQP44N10-ND
FQP44N10FS
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1800pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Tc） 3.1W（Ta），125W（Tc） D2PAK
型号：
IRL640SPBF
仓库库存编号：
IRL640SPBF-ND
别名：*IRL640SPBF
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1800pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 48A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 48A（Tc） 100W（Tc） TO-220
型号：
NDP6060
仓库库存编号：
NDP6060-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1800pF @ 25V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 12A LPT
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 1.56W（Ta），40W（Tc） LPTS（SC-83）
型号：
RCJ120N25TL
仓库库存编号：
RCJ120N25TLCT-ND
别名：RCJ120N25TLCT
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1800pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 43.5A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 43.5A（Tc） 3.75W（Ta），146W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FQB44N10TM
仓库库存编号：
FQB44N10TMCT-ND
别名：FQB44N10TMCT
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1800pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Tc） 3.1W（Ta），125W（Tc） D2PAK
型号：
IRL640STRLPBF
仓库库存编号：
IRL640STRLPBFCT-ND
别名：IRL640STRLPBFCT
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1800pF @ 25V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 42A（Tc） 136W（Tc） D2PAK
型号：
NTB6413ANT4G
仓库库存编号：
NTB6413ANT4GOSCT-ND
别名：NTB6413ANT4GOSCT
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1800pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 48A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 48A（Tc） 180W（Tc） TO-247
型号：
FQH44N10_F133
仓库库存编号：
FQH44N10_F133FS-ND
别名：FQH44N10_F133-ND
FQH44N10_F133FS
FQH44N10F133
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1800pF @ 25V,
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 8A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 58W（Tc） TO-220AB
型号：
IXFP20N50P3M
仓库库存编号：
IXFP20N50P3M-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1800pF @ 25V,
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 8A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 380W（Tc） TO-220AB
型号：
IXFP20N50P3
仓库库存编号：
IXFP20N50P3-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1800pF @ 25V,
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 20A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 380W（Tc） TO-3P
型号：
IXFQ20N50P3
仓库库存编号：
IXFQ20N50P3-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1800pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 18A PWRFLAT 6X5
详细描述：表面贴装 N 沟道 70A（Tc） 72W（Tc） PowerFlat?（6x5）
型号：
STL70N4LLF5
仓库库存编号：
497-10575-1-ND
别名：497-10575-1
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1800pF @ 25V,
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 56A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 56A（Tc） 85W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
BUK9Y14-40B,115
仓库库存编号：
1727-4940-1-ND
别名：1727-4940-1
568-6234-1
568-6234-1-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1800pF @ 25V,
无铅
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