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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 9.9A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 9.9A（Tc） 40W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRLI640GPBF
  仓库库存编号：IRLI640GPBF-ND
  别名：*IRLI640GPBF
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1800pF @ 25V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V POWERPAK SO-8L
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 48W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SQJA88EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJA88EP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJA88EP-T1_GE3CT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1800pF @ 25V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 33V 70A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 70A（Tc） 110W（Tc） DPAK
  
  型号：STD70NS04ZL
  仓库库存编号：497-10411-1-ND
  别名：497-10411-1
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1800pF @ 25V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 80V 39A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 39A（Tc） 95W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：BUK7Y25-80EX
  仓库库存编号：1727-1109-1-ND
  别名：1727-1109-1
  568-10264-1
  568-10264-1-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1800pF @ 25V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 40V 15A SO8FL
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 15A 3.2W Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
  
  型号：NVMFD5852NLT1G
  仓库库存编号：NVMFD5852NLT1G-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1800pF @ 25V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 40V 15A SO8FL
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 15A 3.2W Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
  
  型号：NVMFD5852NLWFT1G
  仓库库存编号：NVMFD5852NLWFT1G-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1800pF @ 25V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 12A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Ta） 45W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK12A60D(STA4,Q,M)
  仓库库存编号：TK12A60D(STA4QM)-ND
  别名：TK12A60D(STA4QM)
  TK12A60DSTA4QM
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1800pF @ 25V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 19A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Tc） 3W（Ta），136W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：SUD19N20-90-T4-E3
  仓库库存编号：SUD19N20-90-T4-E3-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1800pF @ 25V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 30A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：SQD40N06-25L-GE3
  仓库库存编号：SQD40N06-25L-GE3-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1800pF @ 25V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 50V 50A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 2.5W（Ta），75W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：SQD45N05-20L-GE3
  仓库库存编号：SQD45N05-20L-GE3-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1800pF @ 25V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Tc） 3.1W（Ta），125W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL640STRRPBF
  仓库库存编号：IRL640STRRPBF-ND
  别名：Q4322190B
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1800pF @ 25V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 550V 12.5A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 12.5A（Ta） 45W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK13A55DA(STA4,QM)
  仓库库存编号：TK13A55DA(STA4QM)-ND
  别名：TK13A55DA(STA4QM)
  TK13A55DASTA4QM
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1800pF @ 25V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Ta） 100W（Tc） LPTS
  
  型号：R5016ANJTL
  仓库库存编号：R5016ANJTL-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1800pF @ 25V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 500V 13A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 13A（Ta） 45W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK13A50D(STA4,Q,M)
  仓库库存编号：TK13A50D(STA4QM)-ND
  别名：TK13A50D(STA4QM)
  TK13A50DSTA4QM
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1800pF @ 25V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 20A TO-263AA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 380W（Tc） TO-263（IXFA）
  
  型号：IXFA20N50P3
  仓库库存编号：IXFA20N50P3-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1800pF @ 25V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 16A TO-220FM
  详细描述：通孔 N 沟道 16A（Ta） 50W（Tc） TO-220FM
  
  型号：R5016ANX
  仓库库存编号：R5016ANX-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1800pF @ 25V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 20A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 380W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH20N50P3
  仓库库存编号：IXFH20N50P3-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1800pF @ 25V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 7A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 290W（Tc） TO-247 [B]
  
  型号：APT7F100B
  仓库库存编号：APT7F100B-ND
  别名：APT7F100BMI
  APT7F100BMI-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1800pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 50A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3-11
  
  型号：IPD50N06S2L13ATMA2
  仓库库存编号：IPD50N06S2L13ATMA2-ND
  别名：SP001063626
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1800pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 48A TO-263AB
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 48A（Tc） 100W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：NDB6060
  仓库库存编号：NDB6060TR-ND
  别名：NDB6060TR
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1800pF @ 25V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 8.9A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 8.9A（Tc） 170W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFPC48
  仓库库存编号：IRFPC48-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1800pF @ 25V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 17A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 17A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRL640
  仓库库存编号：IRL640-ND
  别名：*IRL640
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1800pF @ 25V,
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  含铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 17A（Tc） 3.1W（Ta），125W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL640S
  仓库库存编号：IRL640S-ND
  别名：*IRL640S
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1800pF @ 25V,
• 含铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 9.9A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 9.9A（Tc） 40W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRLI640G
  仓库库存编号：IRLI640G-ND
  别名：*IRLI640G
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1800pF @ 25V,
• 含铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 17A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 17A（Tc） TO-262-3
  
  型号：IRL640L
  仓库库存编号：IRL640L-ND
  别名：*IRL640L
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1800pF @ 25V,
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