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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 17A（Tc） 3.1W（Ta），125W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL640STRL
  仓库库存编号：IRL640STRL-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1800pF @ 25V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 17A（Tc） 3.1W（Ta），125W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL640STRR
  仓库库存编号：IRL640STRR-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1800pF @ 25V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 50V 50A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50V 50A（Tc） 3.7W（Ta），150W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFZ46L
  仓库库存编号：IRFZ46L-ND
  别名：*IRFZ46L
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1800pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 400V 10A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 400V 10A（Tc） 3.13W（Ta），134W（Tc） I2PAK
  
  型号：IRFI740BTU
  仓库库存编号：IRFI740BTU-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1800pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 27A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 27A（Tc） 55W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF44N10
  仓库库存编号：FQPF44N10-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1800pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 33A TO-3PF
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 33A（Tc） 85W（Tc） TO-3PF
  
  型号：FQAF44N10
  仓库库存编号：FQAF44N10-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1800pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 48A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 48A（Tc） 180W（Tc） TO-3P
  
  型号：FQA44N10
  仓库库存编号：FQA44N10-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1800pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 48A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 48A（Tc） 180W（Tc） TO-247
  
  型号：FQH44N10
  仓库库存编号：FQH44N10-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1800pF @ 25V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 5.8A, 4.8A 1.8W Surface Mount 8-SO
  
  型号：ZXMC3A18DN8TA
  仓库库存编号：ZXMC3A18DN8CT-ND
  别名：ZXMC3A18DN8CT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1800pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 43.5A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 43.5A（Tc） 146W（Tc） TO-220AB
  
  型号：FQP44N10F
  仓库库存编号：FQP44N10F-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1800pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 20A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 20A（Tc） 33.8W（Tc） TO-220F-3（Y 型）
  
  型号：FDPF3860TYDTU
  仓库库存编号：FDPF3860TYDTU-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1800pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 400V 10A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 400V 10A（Tc） 134W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRF740B
  仓库库存编号：IRF740B-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1800pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 8A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 8A（Tc） 134W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRF840B
  仓库库存编号：IRF840B-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1800pF @ 25V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 42A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 42A（Tc） 136W（Tc） TO-220AB
  
  型号：NTP6413ANG
  仓库库存编号：NTP6413ANGOS-ND
  别名：NTP6413ANG-ND
  NTP6413ANGOS
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1800pF @ 25V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 5.9A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 5.9A（Ta），20A（Tc） 2.5W（Ta），56W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：SUD50N10-34P-T4-E3
  仓库库存编号：SUD50N10-34P-T4-E3-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1800pF @ 25V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 60V 23A 8HSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 23A（Tc） 1W（Ta），60W（Tc） 8-HSON
  
  型号：NP23N06YDG-E1-AY
  仓库库存编号：NP23N06YDG-E1-AYTR-ND
  别名：NP23N06YDG-E1-AY-ND
  NP23N06YDG-E1-AYTR
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1800pF @ 25V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 200V 40A LDPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 40A（Ta） 100W（Tc） 4-LDPAK
  
  型号：RJK2006DPE-00#J3
  仓库库存编号：RJK2006DPE-00#J3-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1800pF @ 25V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 450V 22A TO3P
  详细描述：通孔 N 沟道 450V 22A（Ta） 150W（Tc） TO-3P
  
  型号：RJK4514DPK-00#T0
  仓库库存编号：RJK4514DPK-00#T0-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1800pF @ 25V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 500V 19A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 19A（Ta） 35W（Tc） TO-220FP
  
  型号：RJK5014DPP-E0#T2
  仓库库存编号：RJK5014DPP-E0#T2-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1800pF @ 25V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 600V 16A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 16A（Ta） 35W（Tc） TO-220FP
  
  型号：RJK6014DPP-E0#T2
  仓库库存编号：RJK6014DPP-E0#T2-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1800pF @ 25V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 40A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 42A（Tc） 136W（Tc） D2PAK-3
  
  型号：NVB6413ANT4G
  仓库库存编号：NVB6413ANT4G-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1800pF @ 25V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 600V 11A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 16A（Ta） 150W（Tc） TO-3P
  
  型号：RJK6014DPK-00#T0
  仓库库存编号：RJK6014DPK-00#T0-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1800pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 23A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 23A（Tc） 54W（Tc） TO-220AB 整包
  
  型号：IRLI540N
  仓库库存编号：IRLI540N-ND
  别名：*IRLI540N
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1800pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 12A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7413A
  仓库库存编号：IRF7413A-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1800pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 36A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 36A（Tc） 3.8W（Ta），140W（Tc） TO-262
  
  型号：IRL540NL
  仓库库存编号：IRL540NL-ND
  别名：*IRL540NL
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1800pF @ 25V,
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