规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1100pF @ 25V,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(90)
分立半导体产品
(90)
筛选品牌
Infineon Technologies (11)
IXYS (7)
Fairchild/ON Semiconductor (13)
ON Semiconductor (2)
Renesas Electronics America (6)
Rohm Semiconductor (1)
Vishay Siliconix (50)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 18A TO-220AB
详细描述:通孔 P 沟道 18A(Tc) 88W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF9Z34PBF
仓库库存编号:
IRF9Z34PBF-ND
别名:*IRF9Z34PBF
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1100pF @ 25V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 18A(Tc) 3.7W(Ta),88W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9Z34SPBF
仓库库存编号:
IRF9Z34SPBF-ND
别名:IRF9Z34SPBFCT
IRF9Z34SPBFCT-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1100pF @ 25V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 9A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 9A(Tc) 74W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL630PBF
仓库库存编号:
IRL630PBF-ND
别名:*IRL630PBF
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1100pF @ 25V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 5.8A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 5.8A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7406TRPBF
仓库库存编号:
IRF7406PBFCT-ND
别名:*IRF7406TRPBF
IRF7406PBFCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1100pF @ 25V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 120V 15A TO-220F
详细描述:通孔 P 沟道 15A(Tc) 41W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF15P12
仓库库存编号:
FQPF15P12-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1100pF @ 25V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 4.5A(Tc) 40W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFI840GLCPBF
仓库库存编号:
IRFI840GLCPBF-ND
别名:*IRFI840GLCPBF
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1100pF @ 25V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 10A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 10A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF740LCPBF
仓库库存编号:
IRF740LCPBF-ND
别名:*IRF740LCPBF
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1100pF @ 25V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 6.2A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFBC40LCPBF
仓库库存编号:
IRFBC40LCPBF-ND
别名:*IRFBC40LCPBF
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1100pF @ 25V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 26A SO8
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 26A(Tc) 45W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SQJ474EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJ474EP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJ474EP-T1_GE3CT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1100pF @ 25V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 23A SO8
详细描述:表面贴装 N 沟道 23A(Tc) 45W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SQJ158EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJ158EP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJ158EP-T1_GE3CT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1100pF @ 25V,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 190V 7.5A CPT3
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.5A(Tc) 850mW(Ta),20W(Tc) CPT3
型号:
RCD075N19TL
仓库库存编号:
RCD075N19TLCT-ND
别名:RCD075N19TLCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1100pF @ 25V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 40V 12A SO8FL
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 12A 3W Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
型号:
NVMFD5853NLT1G
仓库库存编号:
NVMFD5853NLT1GOSCT-ND
别名:NVMFD5853NLT1GOSCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1100pF @ 25V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 1.2KV 3A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 3A(Tc) 200W(Tc) TO-263
型号:
IXTA3N120HV
仓库库存编号:
IXTA3N120HV-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1100pF @ 25V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 100V 16.5A TO-220
详细描述:通孔 P 沟道 16.5A(Tc) 100W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP17P10
仓库库存编号:
FQP17P10-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1100pF @ 25V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 8A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF840LCPBF
仓库库存编号:
IRF840LCPBF-ND
别名:*IRF840LCPBF
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1100pF @ 25V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 12A TO220FP
详细描述:通孔 P 沟道 12A(Tc) 42W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFI9Z34GPBF
仓库库存编号:
IRFI9Z34GPBF-ND
别名:*IRFI9Z34GPBF
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1100pF @ 25V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 6.2A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 6.2A(Tc) 35W(Tc) TO-220-3
型号:
IRLI630GPBF
仓库库存编号:
IRLI630GPBF-ND
别名:*IRLI630GPBF
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1100pF @ 25V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 650V 12A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Tc) 180W(Tc) TO-263AA
型号:
IXTA12N65X2
仓库库存编号:
IXTA12N65X2-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1100pF @ 25V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 120V 15A TO-220
详细描述:通孔 P 沟道 15A(Tc) 100W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP15P12
仓库库存编号:
FQP15P12-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1100pF @ 25V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 4.2A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 4.2A(Tc) 3.13W(Ta),140W(Tc) I2PAK
型号:
FQI4N90TU
仓库库存编号:
FQI4N90TU-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1100pF @ 25V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 9A(Tc) 3.1W(Ta),74W(Tc) D2PAK
型号:
IRL630SPBF
仓库库存编号:
IRL630SPBF-ND
别名:*IRL630SPBF
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1100pF @ 25V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 5.7A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 5.7A(Tc) 40W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFI740GLCPBF
仓库库存编号:
IRFI740GLCPBF-ND
别名:*IRFI740GLCPBF
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1100pF @ 25V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 18A(Tc) 3.7W(Ta),88W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9Z34STRLPBF
仓库库存编号:
IRF9Z34STRLPBFCT-ND
别名:IRF9Z34STRLPBFCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1100pF @ 25V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 650V 12A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 180W(Tc) TO-220
型号:
IXTP12N65X2
仓库库存编号:
IXTP12N65X2-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1100pF @ 25V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 650V 12A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 180W(Tc) TO-247-3
型号:
IXTH12N65X2
仓库库存编号:
IXTH12N65X2-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1100pF @ 25V,
无铅
搜索
1
2
3
4
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号