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ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 40V 12A SO8FL
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 12A 3W Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
型号:
NVMFD5853NLWFT1G
仓库库存编号:
NVMFD5853NLWFT1G-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1100pF @ 25V,
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 600V 10A LDPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 10A(Ta) 100W(Tc) 4-LDPAK
型号:
RJK6012DPE-00#J3
仓库库存编号:
RJK6012DPE-00#J3-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1100pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 8A(Tc) 3.1W(Ta),125W(Tc) I2PAK
型号:
IRF840LCLPBF
仓库库存编号:
IRF840LCLPBF-ND
别名:*IRF840LCLPBF
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1100pF @ 25V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Tc) 3.1W(Ta),125W(Tc) D2PAK
型号:
IRF840LCSPBF
仓库库存编号:
IRF840LCSPBF-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1100pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 9A(Tc) 3.1W(Ta),74W(Tc) D2PAK
型号:
IRL630STRLPBF
仓库库存编号:
IRL630STRLPBF-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1100pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 9A(Tc) 3.1W(Ta),74W(Tc) D2PAK
型号:
IRL630STRRPBF
仓库库存编号:
IRL630STRRPBF-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1100pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 18A(Tc) 3.7W(Ta),88W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9Z34STRRPBF
仓库库存编号:
IRF9Z34STRRPBF-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1100pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Tc) 3.1W(Ta),125W(Tc) TO-263AB
型号:
IRF840LCSTRRPBF
仓库库存编号:
IRF840LCSTRRPBF-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1100pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 3.5A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 3.5A(Tc) 40W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFIBC40GLCPBF
仓库库存编号:
IRFIBC40GLCPBF-ND
别名:*IRFIBC40GLCPBF
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1100pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 3A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 3A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP3N100P
仓库库存编号:
IXTP3N100P-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1100pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 3A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 3A(Tc) 125W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA3N100P
仓库库存编号:
IXTA3N100P-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1100pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 3A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 3A(Tc) 125W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH3N100P
仓库库存编号:
IXTH3N100P-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1100pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 8A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF840LC
仓库库存编号:
IRF840LC-ND
别名:*IRF840LC
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1100pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 18A TO-220AB
详细描述:通孔 P 沟道 60V 18A(Tc) 88W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF9Z34
仓库库存编号:
IRF9Z34-ND
别名:*IRF9Z34
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1100pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 18A(Tc) 3.7W(Ta),88W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9Z34S
仓库库存编号:
IRF9Z34S-ND
别名:*IRF9Z34S
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1100pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 18A(Tc) 3.7W(Ta),88W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9Z34STRL
仓库库存编号:
IRF9Z34STRL-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1100pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 500V 4.5A(Tc) 40W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFI840GLC
仓库库存编号:
IRFI840GLC-ND
别名:*IRFI840GLC
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1100pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 12A TO220FP
详细描述:通孔 P 沟道 60V 12A(Tc) 42W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFI9Z34G
仓库库存编号:
IRFI9Z34G-ND
别名:*IRFI9Z34G
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1100pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 9A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 200V 9A(Tc) 74W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL630
仓库库存编号:
IRL630-ND
别名:*IRL630
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1100pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 9A(Tc) 3.1W(Ta),74W(Tc) D2PAK
型号:
IRL630S
仓库库存编号:
IRL630S-ND
别名:*IRL630S
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1100pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 9A(Tc) 3.1W(Ta),74W(Tc) D2PAK
型号:
IRL630STRL
仓库库存编号:
IRL630STRL-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1100pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 6.2A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 200V 6.2A(Tc) 35W(Tc) TO-220-3
型号:
IRLI630G
仓库库存编号:
IRLI630G-ND
别名:*IRLI630G
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1100pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 8A(Tc) 3.1W(Ta),125W(Tc) D2PAK
型号:
IRF840LCS
仓库库存编号:
IRF840LCS-ND
别名:*IRF840LCS
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1100pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 5.7A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 400V 5.7A(Tc) 40W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFI740GLC
仓库库存编号:
IRFI740GLC-ND
别名:*IRFI740GLC
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1100pF @ 25V,
含铅
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MOSFET N-CH 600V 3.5A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 600V 3.5A(Tc) 40W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFIBC40GLC
仓库库存编号:
IRFIBC40GLC-ND
别名:*IRFIBC40GLC
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1100pF @ 25V,
含铅
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