规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1100pF @ 25V,
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 55V 22A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 22A(Ta) 1.2W(Ta),45W(Tc) TO-252(MP-3ZK)
型号:
NP22N055SLE-E1-AY
仓库库存编号:
NP22N055SLE-E1-AY-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1100pF @ 25V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 450V 14A LDPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 450V 14A(Ta) 100W(Tc) 4-LDPAK
型号:
RJK4512DPE-00#J3
仓库库存编号:
RJK4512DPE-00#J3-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1100pF @ 25V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 500V 12A LDPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 12A(Ta) 100W(Tc) 4-LDPAK
型号:
RJK5012DPE-00#J3
仓库库存编号:
RJK5012DPE-00#J3-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1100pF @ 25V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 500V 12A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 500V 12A(Ta) 30W(Tc) TO-220FP
型号:
RJK5012DPP-E0#T2
仓库库存编号:
RJK5012DPP-E0#T2-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1100pF @ 25V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 600V 10A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 10A(Ta) 30W(Tc) TO-220FP
型号:
RJK6012DPP-E0#T2
仓库库存编号:
RJK6012DPP-E0#T2-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1100pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 16A(Tc) 3.8W(Ta),140W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS17N20D
仓库库存编号:
IRFS17N20D-ND
别名:*IRFS17N20D
SP001557226
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1100pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 16A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 200V 16A(Tc) 3.8W(Ta),140W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB17N20D
仓库库存编号:
IRFB17N20D-ND
别名:*IRFB17N20D
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1100pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 16A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 200V 16A(Tc) 3.8W(Ta),140W(Tc) TO-262
型号:
IRFSL17N20D
仓库库存编号:
IRFSL17N20D-ND
别名:*IRFSL17N20D
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1100pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 16A(Tc) 3.8W(Ta),140W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS17N20DTRL
仓库库存编号:
IRFS17N20DTRL-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1100pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 16A(Tc) 3.8W(Ta),140W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS17N20DTRR
仓库库存编号:
IRFS17N20DTRR-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1100pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 16A(Tc) 3.8W(Ta),140W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS17N20DPBF
仓库库存编号:
IRFS17N20DPBF-ND
别名:*IRFS17N20DPBF
SP001567586
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1100pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 16A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 200V 16A(Tc) 3.8W(Ta),140W(Tc) TO-262
型号:
IRFSL17N20DPBF
仓库库存编号:
IRFSL17N20DPBF-ND
别名:*IRFSL17N20DPBF
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1100pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 16A(Tc) 3.8W(Ta),140W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS17N20DTRRP
仓库库存编号:
IRFS17N20DTRRP-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1100pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 16A(Tc) 3.8W(Ta),140W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS17N20DTRLP
仓库库存编号:
IRFS17N20DTRLP-ND
别名:SP001578336
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1100pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 6.7A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 5.8A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7406GTRPBF
仓库库存编号:
IRF7406GTRPBFCT-ND
别名:IRF7406GTRPBFCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1100pF @ 25V,
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