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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 20V 60A PPAK SO-8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 60A 46W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
型号:
SI7236DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7236DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7236DP-T1-GE3CT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4000pF @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 9A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 9A(Ta) 2W(Ta) 8-SOP
型号:
RSS090P03TB
仓库库存编号:
RSS090P03TBCT-ND
别名:RSS090P03TBCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4000pF @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 9A(Ta) 2W(Ta) 8-SOP
型号:
RSS090P03FU7TB
仓库库存编号:
RSS090P03FU7TB-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4000pF @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 9A(Ta) 2W(Ta) 8-SOP
型号:
RSS090P03FU6TB
仓库库存编号:
RSS090P03FU6TB-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4000pF @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 20V 60A PWRPAK 8-SO
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 60A 46W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
型号:
SI7236DP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7236DP-T1-E3-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4000pF @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 100V 40A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 40A(Ta) TO-220-3
型号:
TK40E10K3,S1X(S
仓库库存编号:
TK40E10K3S1X(S-ND
别名:TK40E10K3S1X(S
TK40E10K3S1XS
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4000pF @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 250V 20A TO220SM
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 20A(Ta) 100W(Tc) TO-220SM
型号:
2SK2993(TE24L,Q)
仓库库存编号:
2SK2993(TE24L,Q)-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4000pF @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 250V 20A SC-97
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 20A(Ta) 125W(Tc) TFP(9.2x10.7)
型号:
2SK3388(TE24L,Q)
仓库库存编号:
2SK3388(TE24L,Q)-ND
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