规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3750pF @ 25V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75A(Tc) 270W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
HUF75545S3ST
仓库库存编号:
HUF75545S3STCT-ND
别名:HUF75545S3STCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3750pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 75A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 75A(Tc) 270W(Tc) TO-220AB
型号:
HUF75545P3
仓库库存编号:
HUF75545P3-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3750pF @ 25V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 200V 39A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 39A(Tc) 250W(Tc) D2PAK
型号:
PSMN057-200B,118
仓库库存编号:
1727-4774-1-ND
别名:1727-4774-1
568-5952-1
568-5952-1-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3750pF @ 25V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 200V 39A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 200V 39A(Tc) 250W(Tc) TO-220AB
型号:
PSMN057-200P,127
仓库库存编号:
1727-5271-ND
别名:1727-5271
568-6641
568-6641-5
568-6641-5-ND
568-6641-ND
934056421127
PSMN057-200P
PSMN057-200P,127-ND
PSMN057-200P-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3750pF @ 25V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 100V 70A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 70A(Tc) 1.8W(Ta),120W(Tc) TO-263
型号:
NP70N10KUF-E1-AY
仓库库存编号:
NP70N10KUF-E1-AY-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3750pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 75A(Tc) 270W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
HUF75545S3S
仓库库存编号:
HUF75545S3S-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3750pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 75A TO-262AA
详细描述:通孔 N 沟道 80V 75A(Tc) 270W(Tc) TO-262AA
型号:
HUF75545S3
仓库库存编号:
HUF75545S3-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3750pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 75A(Tc) 270W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
HUFA75545S3S
仓库库存编号:
HUFA75545S3S-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3750pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 75A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 80V 75A(Tc) 270W(Tc) TO-220AB
型号:
HUFA75545P3
仓库库存编号:
HUFA75545P3-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3750pF @ 25V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 55V 60A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 55V 60A(Tc) 1.8W(Ta),105W(Tc) TO-220
型号:
NP60N055MUK-S18-AY
仓库库存编号:
NP60N055MUK-S18-AY-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3750pF @ 25V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 55V 60A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 55V 60A(Tc) 1.8W(Ta),105W(Tc) TO-262
型号:
NP60N055NUK-S18-AY
仓库库存编号:
NP60N055NUK-S18-AY-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3750pF @ 25V,
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 55V 60A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 60A(Tc) 1.2W(Ta),105W(Tc) TO-252-3
型号:
NP60N055VUK-E1-AY
仓库库存编号:
NP60N055VUK-E1-AY-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3750pF @ 25V,
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