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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 3.1A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFBG30PBF
  仓库库存编号：IRFBG30PBF-ND
  别名：*IRFBG30PBF
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 980pF @ 25V,
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  无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 31W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD30N03S4L14ATMA1
  仓库库存编号：IPD30N03S4L14ATMA1CT-ND
  别名：IPD30N03S4L-14CT
  IPD30N03S4L-14CT-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 980pF @ 25V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 38A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 38A（Tc） 80W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB45NF06T4
  仓库库存编号：497-10314-1-ND
  别名：497-10314-1
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 980pF @ 25V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 38A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 38A（Tc） 80W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP45NF06
  仓库库存编号：497-3189-5-ND
  别名：497-3189-5
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 980pF @ 25V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 3.1A（Tc） 125W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFPG30PBF
  仓库库存编号：IRFPG30PBF-ND
  别名：*IRFPG30PBF
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 980pF @ 25V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 50A POWERFLAT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 71W（Tc） PowerFlat?（5x6）
  
  型号：STL50N6F7
  仓库库存编号：STL50N6F7-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 980pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 22A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 22A（Tc） 31W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB22N03S4L15ATMA1
  仓库库存编号：IPB22N03S4L15ATMA1TR-ND
  别名：IPB22N03S4L-15
  IPB22N03S4L-15-ND
  IPB22N03S4L-15INTR
  IPB22N03S4L-15INTR-ND
  SP000275308
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 980pF @ 25V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 38A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 38A（Tc） 80W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB45NF06
  仓库库存编号：497-5731-1-ND
  别名：497-5731-1
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 980pF @ 25V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 3.1A（Tc） 125W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFPG30
  仓库库存编号：IRFPG30-ND
  别名：*IRFPG30
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 980pF @ 25V,
• 含铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 3.1A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFBG30
  仓库库存编号：IRFBG30-ND
  别名：*IRFBG30
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 980pF @ 25V,
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  含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 22A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 22A（Tc） 31W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI22N03S4L15AKSA1
  仓库库存编号：IPI22N03S4L15AKSA1-ND
  别名：IPI22N03S4L-15
  IPI22N03S4L-15-ND
  SP000277016
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 980pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 22A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 22A（Tc） 31W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP22N03S4L15AKSA1
  仓库库存编号：IPP22N03S4L15AKSA1-ND
  别名：IPP22N03S4L-15
  IPP22N03S4L-15-ND
  SP000275290
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 980pF @ 25V,
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