品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2700pF @ 25V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 40A TO-220AB
详细描述:通孔 P 沟道 40A(Tc) 200W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF5210PBF
仓库库存编号:
IRF5210PBF-ND
别名:*IRF5210PBF
SP001559642
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2700pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
N-CHANNEL_100+
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Tc) 71W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD35N12S3L24ATMA1
仓库库存编号:
IPD35N12S3L24ATMA1CT-ND
别名:IPD35N12S3L24ATMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2700pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Tc) 71W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD35N10S3L26ATMA1
仓库库存编号:
IPD35N10S3L26ATMA1CT-ND
别名:IPD35N10S3L26ATMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2700pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 35A(Tc) 71W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB35N10S3L26ATMA1
仓库库存编号:
IPB35N10S3L26ATMA1-ND
别名:SP000776044
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2700pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 40A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 40A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) D2PAK
型号:
IRF5210STRR
仓库库存编号:
IRF5210STRR-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2700pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 40A TO-262
详细描述:通孔 P 沟道 100V 40A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) TO-262
型号:
IRF5210L
仓库库存编号:
IRF5210L-ND
别名:*IRF5210L
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2700pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 12A TO-3-3
详细描述:通孔 N 沟道 500V 12A(Tc) 150W(Tc) TO-204AA(TO-3)
型号:
IRF450
仓库库存编号:
IRF450-ND
别名:*IRF450
Q2009037
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2700pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 40V 80A(Tc) 79W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI70N04S307AKSA1
仓库库存编号:
IPI70N04S307AKSA1-ND
别名:IPI70N04S3-07
IPI70N04S3-07-ND
SP000279551
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2700pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 40V 80A(Tc) 79W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP70N04S307AKSA1
仓库库存编号:
IPP70N04S307AKSA1-ND
别名:IPP70N04S3-07
IPP70N04S3-07-ND
SP000279559
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2700pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 80A(Tc) 79W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB70N04S3-07
仓库库存编号:
IPB70N04S3-07CT-ND
别名:IPB70N04S3-07CT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2700pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 82A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 82A(Tc) 79W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD70N04S3-07
仓库库存编号:
IPD70N04S3-07CT-ND
别名:IPD70N04S3-07CT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2700pF @ 25V,
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