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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 70A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 80V 70A(Tc) 155W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP70N08
仓库库存编号:
FQP70N08-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2700pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 70A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 70A(Tc) 3.75W(Ta),155W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB70N08TM
仓库库存编号:
FQB70N08TM-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2700pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 9.8A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 800V 9.8A(Tc) 240W(Tc) TO-3P
型号:
FQA10N80
仓库库存编号:
FQA10N80-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2700pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 6.7A TO-3PF
详细描述:通孔 N 沟道 800V 6.7A(Tc) 113W(Tc) TO-3PF
型号:
FQAF10N80
仓库库存编号:
FQAF10N80-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2700pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 9.8A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 800V 9.8A(Tc) 240W(Tc) TO-3P
型号:
FQA10N80_F109
仓库库存编号:
FQA10N80_F109-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2700pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 12A(Tc) 300W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH12N100F
仓库库存编号:
IXFH12N100F-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2700pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 40A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 40A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) D2PAK
型号:
IRF5210STRR
仓库库存编号:
IRF5210STRR-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2700pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 40A TO-262
详细描述:通孔 P 沟道 100V 40A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) TO-262
型号:
IRF5210L
仓库库存编号:
IRF5210L-ND
别名:*IRF5210L
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2700pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 12A TO-3-3
详细描述:通孔 N 沟道 500V 12A(Tc) 150W(Tc) TO-204AA(TO-3)
型号:
IRF450
仓库库存编号:
IRF450-ND
别名:*IRF450
Q2009037
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2700pF @ 25V,
含铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 75A(Tc) 157W(Tc) D2PAK
型号:
PHB95NQ04LT,118
仓库库存编号:
PHB95NQ04LT,118-ND
别名:934058539118
PHB95NQ04LT /T3
PHB95NQ04LT /T3-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2700pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 40V 80A(Tc) 79W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI70N04S307AKSA1
仓库库存编号:
IPI70N04S307AKSA1-ND
别名:IPI70N04S3-07
IPI70N04S3-07-ND
SP000279551
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2700pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 40V 80A(Tc) 79W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP70N04S307AKSA1
仓库库存编号:
IPP70N04S307AKSA1-ND
别名:IPP70N04S3-07
IPP70N04S3-07-ND
SP000279559
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2700pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 80A(Tc) 79W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB70N04S3-07
仓库库存编号:
IPB70N04S3-07CT-ND
别名:IPB70N04S3-07CT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2700pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 82A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 82A(Tc) 79W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD70N04S3-07
仓库库存编号:
IPD70N04S3-07CT-ND
别名:IPD70N04S3-07CT
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