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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 250V 45A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 45A（Tc） 3.75W（Ta），375W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SUM45N25-58-E3
  仓库库存编号：SUM45N25-58-E3CT-ND
  别名：SUM45N25-58-E3CT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5000pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 104A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 104A（Tc） 200W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRL2505PBF
  仓库库存编号：IRL2505PBF-ND
  别名：*IRL2505PBF
  SP001567114
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5000pF @ 25V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 250V 40A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 40A（Tc） 3.75W（Ta），300W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SUP40N25-60-E3
  仓库库存编号：SUP40N25-60-E3-ND
  别名：SUP40N25-60-E3CT
  SUP40N25-60-E3CT-ND
  SUP40N2560E3
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5000pF @ 25V,
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  无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 31A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 31A（Tc） 460W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFP31N50LPBF
  仓库库存编号：IRFP31N50LPBF-ND
  别名：*IRFP31N50LPBF
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5000pF @ 25V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 60A SO8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 68W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SQJ444EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJ444EP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJ444EP-T1_GE3CT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5000pF @ 25V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 75A（Tc） 272W（Tc） TO-220-5
  
  型号：BUK7905-40AIE,127
  仓库库存编号：1727-7230-ND
  别名：1727-7230
  568-9774-5
  568-9774-5-ND
  934057267127
  BUK7905-40AIE
  BUK7905-40AIE,127-ND
  BUK7905-40AIE-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5000pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 140A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 140A（Tc） 3.8W（Ta），200W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL3803STRLPBF
  仓库库存编号：IRL3803STRLPBFCT-ND
  别名：IRL3803STRLPBFCT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5000pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 140A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 140A（Tc） 200W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRL3803PBF
  仓库库存编号：IRL3803PBF-ND
  别名：*IRL3803PBF
  SP001557982
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5000pF @ 25V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 75V 120A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 310W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP140NF75
  仓库库存编号：497-5894-5-ND
  别名：497-5894-5
  STP140NF75-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5000pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 104A（Tc） 3.8W（Ta），200W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL2505STRLPBF
  仓库库存编号：IRL2505STRLPBFCT-ND
  别名：IRL2505STRLPBFCT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5000pF @ 25V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 310W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB140NF75T4
  仓库库存编号：497-6547-1-ND
  别名：497-6547-1
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5000pF @ 25V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 60A SO8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 68W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SQJA46EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJA46EP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJA46EP-T1_GE3CT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5000pF @ 25V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 75A（Tc） 272W（Tc） TO-220-5
  
  型号：BUK7905-40AI,127
  仓库库存编号：BUK7905-40AI,127-ND
  别名：934058078127
  BUK7905-40AI
  BUK7905-40AI-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5000pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP80N06S2LH5AKSA2
  仓库库存编号：IPP80N06S2LH5AKSA2-ND
  别名：SP001063648
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5000pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB80N06S2LH5ATMA4
  仓库库存编号：IPB80N06S2LH5ATMA4-ND
  别名：SP001058126
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5000pF @ 25V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 75A（Tc） 272W（Tc） SOT-426
  
  型号：BUK7105-40AIE,118
  仓库库存编号：568-9627-1-ND
  别名：568-9627-1
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5000pF @ 25V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 179A SUPER-220
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 179A（Tc） 270W（Tc） SUPER-220?（TO-273AA）
  
  型号：IRLBA3803
  仓库库存编号：IRLBA3803-ND
  别名：*IRLBA3803
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5000pF @ 25V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 31A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 31A（Tc） 460W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFP31N50L
  仓库库存编号：IRFP31N50L-ND
  别名：*IRFP31N50L
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5000pF @ 25V,
• 含铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 32A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 32A（Tc） 180W（Tc） TO-247
  
  型号：MTW32N20E
  仓库库存编号：MTW32N20EOS-ND
  别名：MTW32N20EOS
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5000pF @ 25V,
• 含铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 32A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 32A（Tc） 180W（Tc） TO-247
  
  型号：MTW32N20EG
  仓库库存编号：MTW32N20EGOS-ND
  别名：MTW32N20EGOS
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5000pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 48A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 48A（Tc） 280W（Tc） TO-3P
  
  型号：FQA48N20
  仓库库存编号：FQA48N20-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5000pF @ 25V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 280V 80A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 280V 80A（Tc） 500W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ80N28T
  仓库库存编号：IXTQ80N28T-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5000pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 140A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 140A（Tc） 200W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRL3803
  仓库库存编号：IRL3803-ND
  别名：*IRL3803
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5000pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 76A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 76A（Tc） 63W（Tc） TO-220AB 整包
  
  型号：IRLI3803
  仓库库存编号：IRLI3803-ND
  别名：*IRLI3803
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5000pF @ 25V,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 140A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 140A（Tc） 3.8W（Ta），200W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL3803S
  仓库库存编号：IRL3803S-ND
  别名：*IRL3803S
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5000pF @ 25V,
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