规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3100pF @ 10V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 80A F7 TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 158W(Tc) TO-220
型号:
STP140N6F7
仓库库存编号:
497-15890-5-ND
别名:497-15890-5
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3100pF @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 15A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 15A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7457TRPBF
仓库库存编号:
IRF7457PBFCT-ND
别名:*IRF7457TRPBF
IRF7457PBFCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3100pF @ 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET P-CH 60V 36A TO-263
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 36A(Tc) 1.8W(Ta),56W(Tc) TO-263
型号:
NP36P06KDG-E1-AY
仓库库存编号:
NP36P06KDG-E1-AYCT-ND
别名:NP36P06KDG-E1-AYCT
NP36P06KDGE1AY
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3100pF @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 15A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 15A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7457
仓库库存编号:
IRF7457-ND
别名:*IRF7457
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3100pF @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 15A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 15A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7457TR
仓库库存编号:
IRF7457TR-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3100pF @ 10V,
含铅
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