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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB072N15N3 G
  仓库库存编号：IPB072N15N3 GCT-ND
  别名：IPB072N15N3 GCT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5470pF @ 75V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 100A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP075N15N3GXKSA1
  仓库库存编号：IPP075N15N3GXKSA1-ND
  别名：IPP075N15N3 G
  IPP075N15N3 G-ND
  IPP075N15N3G
  SP000680832
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5470pF @ 75V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 100A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI075N15N3GXKSA1
  仓库库存编号：IPI075N15N3GXKSA1-ND
  别名：SP000680676
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5470pF @ 75V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 100A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI075N15N3GHKSA1
  仓库库存编号：IPI075N15N3GHKSA1-ND
  别名：IPI075N15N3 G
  IPI075N15N3 G-ND
  SP000414712
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5470pF @ 75V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB072N15N3GE8187ATMA1
  仓库库存编号：IPB072N15N3GE8187ATMA1CT-ND
  别名：IPB072N15N3 G E8187CT
  IPB072N15N3 G E8187CT-ND
  IPB072N15N3GE8187
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5470pF @ 75V,
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