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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 20A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 20A（Tc） 300W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT20N60Q
  仓库库存编号：IXFT20N60Q-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3300pF @ 25V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 23A TO-268(D3)
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 23A（Tc） 400W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT23N60Q
  仓库库存编号：IXFT23N60Q-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3300pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 70A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 70A（Tc） 79W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP048N04NGXKSA1
  仓库库存编号：IPP048N04NGXKSA1-ND
  别名：IPP048N04N G
  IPP048N04N G-ND
  IPP048N04NG
  SP000648308
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3300pF @ 25V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 200V 34A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 34A（Tc） 180W（Tc） TO-247-3
  
  型号：STW34NB20
  仓库库存编号：497-2659-5-ND
  别名：497-2659-5
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3300pF @ 25V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 50A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 50A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRLZ44
  仓库库存编号：IRLZ44-ND
  别名：*IRLZ44
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3300pF @ 25V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 50A（Tc） 3.7W（Ta），150W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRLZ44S
  仓库库存编号：IRLZ44S-ND
  别名：*IRLZ44S
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3300pF @ 25V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 50A（Tc） 3.7W（Ta），150W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRLZ44STRR
  仓库库存编号：IRLZ44STRR-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3300pF @ 25V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 50A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 50A（Tc） TO-262-3
  
  型号：IRLZ44L
  仓库库存编号：IRLZ44L-ND
  别名：*IRLZ44L
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3300pF @ 25V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 50A（Tc） 3.7W（Ta），150W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRLZ44STRL
  仓库库存编号：IRLZ44STRL-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3300pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 57A（Tc） 3.75W（Ta），160W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB70N10TM_AM002
  仓库库存编号：FQB70N10TM_AM002-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3300pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 70A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 70A（Tc） 214W（Tc） TO-247
  
  型号：FQH70N10
  仓库库存编号：FQH70N10-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3300pF @ 25V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 200V 35A ISOPLUS220
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 35A（Tc） 120W（Tc） ISOPLUS220?
  
  型号：IXFC74N20P
  仓库库存编号：IXFC74N20P-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3300pF @ 25V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 400V 30A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 400V 30A（Tc） 300W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH30N40Q
  仓库库存编号：IXFH30N40Q-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3300pF @ 25V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 200V 74A PLUS220
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 74A（Tc） 480W（Tc） PLUS220
  
  型号：IXFV74N20P
  仓库库存编号：IXFV74N20P-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3300pF @ 25V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 200V 74A PLUS220-S
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 74A（Tc） 480W（Tc） PLUS-220SMD
  
  型号：IXFV74N20PS
  仓库库存编号：IXFV74N20PS-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3300pF @ 25V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 40V 80A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 80A（Tc） 1.8W（Ta），120W（Tc） TO-263
  
  型号：NP80N04KHE-E1-AY
  仓库库存编号：NP80N04KHE-E1-AY-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3300pF @ 25V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 110A（Tc） 3.7W（Ta），158W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SUM110N05-06L-E3
  仓库库存编号：SUM110N05-06L-E3CT-ND
  别名：SUM110N05-06L-E3CT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3300pF @ 25V,
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