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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 30A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 190W（Tc） TO-247-3
型号：
IRFP250PBF
仓库库存编号：
IRFP250PBF-ND
别名：*IRFP250PBF
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2800pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 1000V 6.1A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 6.1A（Tc） 190W（Tc） TO-247-3
型号：
IRFPG50PBF
仓库库存编号：
IRFPG50PBF-ND
别名：*IRFPG50PBF
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2800pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 6A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
型号：
IXTP6N50D2
仓库库存编号：
IXTP6N50D2-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2800pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 6A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Tc） 300W（Tc） TO-263（IXTA）
型号：
IXTA6N50D2
仓库库存编号：
IXTA6N50D2-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2800pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 41A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 41A（Tc） 230W（Tc） TO-247-3
型号：
IRFP150PBF
仓库库存编号：
IRFP150PBF-ND
别名：*IRFP150PBF
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2800pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247AD
详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 500W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH14N100Q2
仓库库存编号：
IXFH14N100Q2-ND
别名：608166
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2800pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 57A SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 57A（Tc） 55W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SQJA06EP-T1_GE3
仓库库存编号：
SQJA06EP-T1_GE3CT-ND
别名：SQJA06EP-T1_GE3CT
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2800pF @ 25V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 37A TO-263AB
详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Ta），37A（Tc） 150W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FDB2552
仓库库存编号：
FDB2552CT-ND
别名：FDB2552CT
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2800pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 37A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 5A（Ta），37A（Tc） 150W（Tc） TO-220-3
型号：
FDP2552
仓库库存编号：
FDP2552FS-ND
别名：FDP2552-ND
FDP2552FS
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2800pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 6A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 300W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH6N50D2
仓库库存编号：
IXTH6N50D2-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2800pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 10A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 240W（Tc） TO-3P
型号：
FQA10N80C_F109
仓库库存编号：
FQA10N80C_F109FS-ND
别名：FQA10N80C_F109-ND
FQA10N80C_F109FS
FQA10N80CF109
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2800pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 8TDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 71W（Tc） PG-TSDSON-8
型号：
IPZ40N04S5L2R8ATMA1
仓库库存编号：
IPZ40N04S5L2R8ATMA1CT-ND
别名：IPZ40N04S5L2R8ATMA1CT
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2800pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 7A TO-247AD
详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 180W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH7N80
仓库库存编号：
IXFH7N80-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2800pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N CH 150V 5A TO-263AB
详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Ta），37A（Tc） 150W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FDB2552_F085
仓库库存编号：
FDB2552_F085CT-ND
别名：FDB2552_F085CT
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2800pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 12A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 360W（Tc） TO-3P
型号：
IXFQ12N80P
仓库库存编号：
IXFQ12N80P-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2800pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 200V 16A TO-247
详细描述：通孔 P 沟道 16A（Tc） 300W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH16P20
仓库库存编号：
IXTH16P20-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2800pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 100V 36A TO-247
详细描述：通孔 P 沟道 36A（Tc） 180W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH36P10
仓库库存编号：
IXTH36P10-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2800pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 12A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 360W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH12N80P
仓库库存编号：
IXFH12N80P-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2800pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 6A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 800V 6A（Tc） 180W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH6N80A
仓库库存编号：
IXTH6N80A-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2800pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 102A SMPD
详细描述：表面贴装 N 沟道 300V 102A（Tc） 570W（Tc） SMPD
型号：
MMIX1F160N30T
仓库库存编号：
MMIX1F160N30T-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2800pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 1000V 6.1A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 1000V 6.1A（Tc） 190W（Tc） TO-247-3
型号：
IRFPG50
仓库库存编号：
IRFPG50-ND
别名：*IRFPG50
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2800pF @ 25V,
含铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 14A TO-247AD
详细描述：通孔 N 沟道 500V 14A（Tc） 190W（Tc） TO-247AD
型号：
IRFP450
仓库库存编号：
IRFP450X-ND
别名：IRFP450X
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2800pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 13A TO-247AD
详细描述：通孔 N 沟道 500V 13A（Tc） 180W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH13N50
仓库库存编号：
IXFH13N50-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2800pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 41A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 100V 41A（Tc） 230W（Tc） TO-247-3
型号：
IRFP150
仓库库存编号：
IRFP150-ND
别名：*IRFP150
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2800pF @ 25V,
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 10A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 800V 10A（Tc） 240W（Tc） TO-3P
型号：
FQA10N80C
仓库库存编号：
FQA10N80C-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2800pF @ 25V,
无铅
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