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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 80A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Ta），80A（Tc） 310W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP3632
  仓库库存编号：FDP3632-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6000pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 80A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Ta），80A（Tc） 310W（Tc） TO-247
  
  型号：FDH3632
  仓库库存编号：FDH3632FS-ND
  别名：FDH3632-ND
  FDH3632FS
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6000pF @ 25V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 46A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 46A（Tc） 120W（Tc） TO-247
  
  型号：R6046ANZ1C9
  仓库库存编号：R6046ANZ1C9-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6000pF @ 25V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 98A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 98A（Tc） 115W（Tc） DPAK-3
  
  型号：NTD5862NT4G
  仓库库存编号：NTD5862NT4GOSCT-ND
  别名：NTD5862NT4GOSCT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6000pF @ 25V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 75A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 75A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
  
  型号：BUK7515-100A,127
  仓库库存编号：568-9804-5-ND
  别名：568-9804-5
  934055409127
  BUK7515-100A
  BUK7515-100A,127-ND
  BUK7515-100A-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6000pF @ 25V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 75A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
  
  型号：BUK7506-55A,127
  仓库库存编号：1727-7231-ND
  别名：1727-7231
  568-9808-5
  568-9808-5-ND
  934055407127
  BUK7506-55A
  BUK7506-55A,127-ND
  BUK7506-55A-ND
  BUK750655A127
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6000pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta），80A（Tc） 310W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB3632
  仓库库存编号：FDB3632CT-ND
  别名：FDB3632CT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6000pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 12A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta） 310W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB3632_F085
  仓库库存编号：FDB3632_F085CT-ND
  别名：FDB3632_F085CT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6000pF @ 25V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 20A SP1
  详细描述：底座安装 N 沟道 20A（Tc） 520W（Tc） SP1
  
  型号：APTML100U60R020T1AG
  仓库库存编号：APTML100U60R020T1AG-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6000pF @ 25V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 1KV 13A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 13A（Tc） 350W（Tc） TO-247-3
  
  型号：STW13NK100Z
  仓库库存编号：497-3556-5-ND
  别名：497-3556-5
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6000pF @ 25V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 90A DPAK-4
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 18A（Ta），98A（Tc） 4.1W（Ta），115W（Tc） DPAK-3
  
  型号：NVD5862NT4G-VF01
  仓库库存编号：NVD5862NT4G-VF01-ND
  别名：NVD5802NT4G-VF01
  NVD5862NT4G
  NVD5862NT4G-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6000pF @ 25V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 75A（Tc） 300W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK7606-55A,118
  仓库库存编号：BUK7606-55A,118-ND
  别名：934055413118
  BUK7606-55A /T3
  BUK7606-55A /T3-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6000pF @ 25V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 98A（Tc） TO-220AB
  
  型号：NTP5862NG
  仓库库存编号：NTP5862NG-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6000pF @ 25V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 55V 90A TO-220
  详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 1.2W（Ta），147W（Tc） TO-252-3
  
  型号：NP90N055VUK-E1-AY
  仓库库存编号：NP90N055VUK-E1-AY-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6000pF @ 25V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 170A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 170A（Tc） 715W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ170N10P
  仓库库存编号：IXTQ170N10P-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6000pF @ 25V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 200V 120A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 120A（Tc） 714W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ120N20P
  仓库库存编号：IXTQ120N20P-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6000pF @ 25V,
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  MOSFET N-CH 100V 170A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 170A（Tc） 715W（Tc） TO-264（IXTK）
  
  型号：IXTK170N10P
  仓库库存编号：IXTK170N10P-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6000pF @ 25V,
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  MOSFET N-CH 100V 170A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 170A（Tc） 715W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT170N10P
  仓库库存编号：IXTT170N10P-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6000pF @ 25V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 200V 120A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 120A（Tc） 714W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH120N20P
  仓库库存编号：IXFH120N20P-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6000pF @ 25V,
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  MOSFET N-CH 100V 170A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 170A（Tc） 715W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH170N10P
  仓库库存编号：IXFH170N10P-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6000pF @ 25V,
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  MOSFET N-CH 200V 120A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 120A（Tc） 714W（Tc） TO-264（IXTK）
  
  型号：IXTK120N20P
  仓库库存编号：IXTK120N20P-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6000pF @ 25V,
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  MOSFET N-CH 200V 120A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 120A（Tc） 714W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK120N20P
  仓库库存编号：IXFK120N20P-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6000pF @ 25V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 170A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 170A（Tc） 715W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK170N10P
  仓库库存编号：IXFK170N10P-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6000pF @ 25V,
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  MOSFET N-CH 150V 128A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 128A（Tc） 540W（Tc） TO-264（IXTK）
  
  型号：IXTK128N15
  仓库库存编号：IXTK128N15-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6000pF @ 25V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 250V 80A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 80A（Tc） 540W（Tc） TO-264（IXTK）
  
  型号：IXTK80N25
  仓库库存编号：IXTK80N25-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6000pF @ 25V,
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