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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 10V DRIVE TO-3PF
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 46A（Ta） 120W（Tc） TO-3PF
  
  型号：R6046ANZC8
  仓库库存编号：R6046ANZC8-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6000pF @ 25V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 300V 75A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 300V 75A（Tc） 540W（Tc） TO-264（IXTK）
  
  型号：IXTK75N30
  仓库库存编号：IXTK75N30-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6000pF @ 25V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 2N-CH 1000V 20A SP3
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1000V (1kV) 20A 520W Chassis Mount SP3
  
  型号：APTML1002U60R020T3AG
  仓库库存编号：APTML1002U60R020T3AG-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6000pF @ 25V,
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  无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB100N04S2L03ATMA2
  仓库库存编号：IPB100N04S2L03ATMA2-ND
  别名：SP001063640
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6000pF @ 25V,
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  无铅
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 100V 50A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 50A（Tc） 180W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP50NE10
  仓库库存编号：497-2644-5-ND
  别名：497-2644-5
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6000pF @ 25V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 700V 20A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 700V 20A（Tc） 350W（Tc） TO-247-3
  
  型号：STW20NK70Z
  仓库库存编号：497-3559-5-ND
  别名：497-3559-5
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6000pF @ 25V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 100V 50A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 50A（Tc） 180W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB50NE10T4
  仓库库存编号：STB50NE10T4-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6000pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 80A TO-262AB
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 12A（Ta），80A（Tc） 310W（Tc） I2PAK（TO-262）
  
  型号：FDI3632
  仓库库存编号：FDI3632FS-ND
  别名：FDI3632-ND
  FDI3632FS
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6000pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 20A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 20A（Tc） 235W（Tc） TO-3PN
  
  型号：IRFP460C
  仓库库存编号：IRFP460C-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6000pF @ 25V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 90A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 98A（Tc） 115W（Tc） DPAK-3
  
  型号：NTD5862N-1G
  仓库库存编号：NTD5862N-1G-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6000pF @ 25V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V TO252
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 4W（Ta），70W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：SUD45P03-10-E3
  仓库库存编号：SUD45P03-10-E3CT-ND
  别名：SUD45P03-10-E3CT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6000pF @ 25V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 55V 90A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 90A（Tc） 1.8W（Ta），147W（Tc） TO-220-3
  
  型号：NP89N055MUK-S18-AY
  仓库库存编号：NP89N055MUK-S18-AY-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6000pF @ 25V,
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  无铅
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 55V 90A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 90A（Tc） 1.8W（Ta），147W（Tc） TO-262
  
  型号：NP89N055NUK-S18-AY
  仓库库存编号：NP89N055NUK-S18-AY-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6000pF @ 25V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 55V 90A TO-220
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 90A（Tc） 1.8W（Ta），147W（Tc） TO-263-3
  
  型号：NP89N055PUK-E1-AY
  仓库库存编号：NP89N055PUK-E1-AY-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6000pF @ 25V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 75A（Tc） 230W（Tc） TO-220AB
  
  型号：BUK7505-30A,127
  仓库库存编号：BUK7505-30A,127-ND
  别名：934055405127
  BUK7505-30A
  BUK7505-30A-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6000pF @ 25V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 75A（Tc） 230W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK7605-30A,118
  仓库库存编号：BUK7605-30A,118-ND
  别名：934055411118
  BUK7605-30A /T3
  BUK7605-30A /T3-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6000pF @ 25V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 75A（Tc） 230W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK7615-100A,118
  仓库库存编号：BUK7615-100A,118-ND
  别名：934055415118
  BUK7615-100A /T3
  BUK7615-100A /T3-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6000pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB100N04S2L03ATMA1
  仓库库存编号：IPB100N04S2L03ATMA1TR-ND
  别名：IPB100N04S2L-03
  IPB100N04S2L-03-ND
  SP000219065
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6000pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB80N04S2L03ATMA1
  仓库库存编号：IPB80N04S2L03ATMA1TR-ND
  别名：IPB80N04S2L-03
  IPB80N04S2L-03-ND
  SP000220158
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6000pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP100N04S2L03AKSA1
  仓库库存编号：IPP100N04S2L03AKSA1-ND
  别名：IPP100N04S2L-03
  IPP100N04S2L-03-ND
  SP000219062
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6000pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP80N04S2L03AKSA1
  仓库库存编号：IPP80N04S2L03AKSA1-ND
  别名：IPP80N04S2L-03
  IPP80N04S2L-03-ND
  SP000219063
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6000pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP100N04S2L03AKSA2
  仓库库存编号：IPP100N04S2L03AKSA2-ND
  别名：SP001063638
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6000pF @ 25V,
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