规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1700pF @ 100V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 11A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 34W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
IPA90R500C3
仓库库存编号:
IPA90R500C3-ND
别名:IPA90R500C3XKSA1
SP000413716
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1700pF @ 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 11A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 156W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW90R500C3
仓库库存编号:
IPW90R500C3-ND
别名:IPW90R500C3FKSA1
SP000413756
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1700pF @ 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 11A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 156W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP90R500C3XKSA1
仓库库存编号:
IPP90R500C3XKSA1-ND
别名:IPP90R500C3
IPP90R500C3-ND
SP000413746
SP000683100
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1700pF @ 100V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 21.5A PWRFLAT88
详细描述:表面贴装 N 沟道 22A(Tc) 190W(Tc) PowerFlat?(8x8) HV
型号:
STL33N60M2
仓库库存编号:
497-14969-1-ND
别名:497-14969-1
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1700pF @ 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 11A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 900V 11A(Tc) 156W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI90R500C3XKSA1
仓库库存编号:
IPI90R500C3XKSA1-ND
别名:IPI90R500C3
IPI90R500C3-ND
SP000413728
SP000683084
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1700pF @ 100V,
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