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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 24A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 190W（Tc） TO-220
  
  型号：STP33N65M2
  仓库库存编号：497-15560-5-ND
  别名：497-15560-5
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1790pF @ 100V,
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• STMicroelectronics
  N-CHANNEL 650 V, 0.124 OHM TYP.,
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 150W（Tc） PowerFlat?（8x8） HV
  
  型号：STL33N65M2
  仓库库存编号：497-16939-1-ND
  别名：497-16939-1
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1790pF @ 100V,
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  无铅
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 24A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 34W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF33N65M2
  仓库库存编号：497-15535-5-ND
  别名：497-15535-5
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1790pF @ 100V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Tc） 190W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB33N65M2
  仓库库存编号：497-15457-1-ND
  别名：497-15457-1
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1790pF @ 100V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 24A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 190W（Tc） I2PAK
  
  型号：STI33N65M2
  仓库库存编号：497-15551-5-ND
  别名：497-15551-5
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1790pF @ 100V,
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