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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-7
  
  型号：IPB025N10N3 G
  仓库库存编号：IPB025N10N3 GCT-ND
  别名：IPB025N10N3 GCT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 14800pF @ 50V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB027N10N3GATMA1
  仓库库存编号：IPB027N10N3GATMA1CT-ND
  别名：IPB027N10N3 GCT
  IPB027N10N3 GCT-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 14800pF @ 50V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP030N10N3GXKSA1
  仓库库存编号：IPP030N10N3GXKSA1-ND
  别名：IPP030N10N3 G
  IPP030N10N3 G-ND
  IPP030N10N3G
  SP000680768
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 14800pF @ 50V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 100A
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI030N10N3GXKSA1
  仓库库存编号：IPI030N10N3GXKSA1-ND
  别名：SP000680648
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 14800pF @ 50V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 79A TO220-FP
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 79A（Tc） 41W（Tc） PG-TO220-FP
  
  型号：IPA030N10N3 G
  仓库库存编号：IPA030N10N3 G-ND
  别名：IPA030N10N3G
  IPA030N10N3GXKSA1
  SP000464914
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 14800pF @ 50V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI030N10N3GHKSA1
  仓库库存编号：IPI030N10N3GHKSA1-ND
  别名：IPI030N10N3 G
  IPI030N10N3 G-ND
  SP000469884
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 14800pF @ 50V,
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