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• Infineon Technologies
  MOSFET N CH 60V 172A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 172A（Tc） 230W（Tc） TO-247
  
  型号：IRFP7537PBF
  仓库库存编号：IRFP7537PBF-ND
  别名：SP001564970
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 7020pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB100N03S203T
  仓库库存编号：SPB100N03S203XTINCT-ND
  别名：SPB100N03S203XTINCT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 7020pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N CH 60V 173A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 173A（Tc） 230W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB7537PBF
  仓库库存编号：IRFB7537PBF-ND
  别名：64-0102PBF
  64-0102PBF-ND
  SP001570828
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 7020pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N CH 60V 173A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 173A（Tc） 230W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：IRFS7537TRLPBF
  仓库库存编号：IRFS7537TRLPBFCT-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 7020pF @ 25V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 48A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 48A（Tc） 1000W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX48N60Q3
  仓库库存编号：IXFX48N60Q3-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 7020pF @ 25V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 48A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 48A（Tc） 1000W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK48N60Q3
  仓库库存编号：IXFK48N60Q3-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 7020pF @ 25V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 32A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 32A（Tc） 500W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR48N60Q3
  仓库库存编号：IXFR48N60Q3-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 7020pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 173A TO262
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 173A（Tc） 230W（Tc） TO-262
  
  型号：IRFSL7537PBF
  仓库库存编号：IRFSL7537PBF-ND
  别名：SP001578438
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 7020pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 100A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP100N03S2-03
  仓库库存编号：SPP100N03S2-03IN-ND
  别名：SPP100N03S2-03IN
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 7020pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB100N03S2-03
  仓库库存编号：SPB100N03S203INTR-ND
  别名：SPB100N03S203INTR
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 7020pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 100A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP100N03S203
  仓库库存编号：SPP100N03S203-ND
  别名：SP000013463
  SPP100N03S203X
  SPP100N03S203X-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 7020pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB100N03S2-03 G
  仓库库存编号：SPB100N03S2-03 G-ND
  别名：SP000200140
  SPB100N03S203GXT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 7020pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB80N03S2-03
  仓库库存编号：SPB80N03S2-03-ND
  别名：SP000016251
  SPB80N03S203T
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 7020pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB80N03S203GATMA1
  仓库库存编号：SPB80N03S203GATMA1TR-ND
  别名：SP000200139
  SPB80N03S2-03 G
  SPB80N03S2-03 G-ND
  SPB80N03S203GXT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 7020pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 100A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：SPI100N03S2-03
  仓库库存编号：SPI100N03S2-03-ND
  别名：SP000013492
  SPI100N03S203X
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 7020pF @ 25V,
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  MOSFET N-CH 30V 80A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：SPI80N03S2-03
  仓库库存编号：SPI80N03S2-03-ND
  别名：SP000016262
  SPI80N03S203X
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 7020pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 80A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP80N03S2-03
  仓库库存编号：SPP80N03S2-03-ND
  别名：SP000012468
  SPP80N03S203X
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 7020pF @ 25V,
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