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• IXYS
  MOSFET N-CH 85V 180A TO-263-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 85V 180A（Tc） 430W（Tc） TO-263-7（IXTA..7）
  
  型号：IXTA180N085T7
  仓库库存编号：IXTA180N085T7-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 7500pF @ 25V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 85V 180A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 85V 180A（Tc） 430W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH180N085T
  仓库库存编号：IXTH180N085T-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 7500pF @ 25V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 85V 180A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 85V 180A（Tc） 430W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP180N085T
  仓库库存编号：IXTP180N085T-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 7500pF @ 25V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 85V 180A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 85V 180A（Tc） 430W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ180N085T
  仓库库存编号：IXTQ180N085T-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 7500pF @ 25V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 90A（Tc） 1.2W（Ta），105W（Tc） TO-252
  
  型号：NP90N04VUG-E1-AY
  仓库库存编号：NP90N04VUG-E1-AYCT-ND
  别名：NP90N04VUG-E1-AYCT
  NP90N04VUGE1AY
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 7500pF @ 25V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 30V 60A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 60A（Tc） 1.2W（Ta），105W（Tc） TO-252（MP-3ZK）
  
  型号：NP60N03SUG-E1-AY
  仓库库存编号：NP60N03SUG-E1-AYCT-ND
  别名：NP60N03SUG-E1-AYCT
  NP60N03SUGE1AY
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 7500pF @ 25V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 30V 90A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 90A（Tc） 1.2W（Ta），105W（Tc） TO-252
  
  型号：NP90N03VHG-E1-AY
  仓库库存编号：NP90N03VHG-E1-AY-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 7500pF @ 25V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 30V 90A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 90A（Tc） 1.2W（Ta），105W（Tc） TO-252
  
  型号：NP90N03VLG-E1-AY
  仓库库存编号：NP90N03VLG-E1-AY-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 7500pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 75A TO262
  详细描述：通孔 N 沟道 75V 160A（Tc） 300W（Tc） TO-262
  
  型号：IRF2907ZLPBF
  仓库库存编号：IRF2907ZLPBF-ND
  别名：SP001576784
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 7500pF @ 25V,
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