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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 31A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 31A（Tc） 255W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB60R099CP
  仓库库存编号：IPB60R099CPCT-ND
  别名：IPB60R099CPCT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2800pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 31A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 31A（Tc） 255W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP60R099CPXKSA1
  仓库库存编号：IPP60R099CPXKSA1-ND
  别名：IPP60R099CP
  IPP60R099CPIN
  IPP60R099CPIN-ND
  IPP60R099CPXK
  IPP60R099CSIN
  IPP60R099CSIN-ND
  IPP60R099CSX
  IPP60R099CSXTIN
  IPP60R099CSXTIN-ND
  SP000057021
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2800pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 31A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 31A（Tc） 255W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW60R099CP
  仓库库存编号：IPW60R099CP-ND
  别名：IPW60R099CPFKSA1
  IPW60R099CPXK
  IPW60R099CSX
  SP000067147
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2800pF @ 100V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 23A ISOPLUS220
  详细描述：通孔 N 沟道 23A（Tc） ISOPLUS220?
  
  型号：IXKC23N60C5
  仓库库存编号：IXKC23N60C5-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2800pF @ 100V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 35A TO247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 35A（Tc） TO-247AD（IXKH）
  
  型号：IXKH35N60C5
  仓库库存编号：IXKH35N60C5-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2800pF @ 100V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 35A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 35A（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXKP35N60C5
  仓库库存编号：IXKP35N60C5-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2800pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 31A（Tc） 255W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB60R099CPAATMA1
  仓库库存编号：IPB60R099CPAATMA1TR-ND
  别名：IPB60R099CPA
  IPB60R099CPA-ND
  SP000315443
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2800pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 31A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 31A（Tc） 255W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI60R099CPXKSA1
  仓库库存编号：IPI60R099CPXKSA1-ND
  别名：IPI60R099CP
  IPI60R099CP-ND
  IPI60R099CPAKSA1
  SP000297356
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2800pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 31A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 31A（Tc） 255W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI60R099CPAAKSA1
  仓库库存编号：IPI60R099CPAAKSA1-ND
  别名：IPI60R099CPA
  IPI60R099CPA-ND
  SP000315454
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2800pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 31A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 31A（Tc） 255W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP60R099CPAAKSA1
  仓库库存编号：IPP60R099CPAAKSA1-ND
  别名：IPP60R099CPA
  IPP60R099CPA-ND
  SP000315418
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2800pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 31A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 31A（Tc） 255W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW60R099CPAFKSA1
  仓库库存编号：IPW60R099CPAFKSA1-ND
  别名：SP000597860
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2800pF @ 100V,
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