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• EPC
  MOSFET NCH 40V 60A DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Ta） 模具
  
  型号：EPC2024
  仓库库存编号：917-1106-1-ND
  别名：917-1106-1
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2100pF @ 20V,
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• EPC
  TRANS GAN 40V 60A BUMPED DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Ta） 模具
  
  型号：EPC2024ENGR
  仓库库存编号：917-EPC2024ENGRCT-ND
  别名：917-EPC2024ENGRCT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2100pF @ 20V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 110A SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 27A（Ta）, 110A（Tc） 3.7W（Ta）, 68W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS5C450NLT3G
  仓库库存编号：NTMFS5C450NLT3G-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2100pF @ 20V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 110A SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.7W（Ta）, 68W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NVMFS5C450NLT3G
  仓库库存编号：NVMFS5C450NLT3G-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2100pF @ 20V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 110A SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 27A（Ta）, 110A（Tc） 3.7W（Ta）, 68W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS5C450NLT1G
  仓库库存编号：NTMFS5C450NLT1G-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2100pF @ 20V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 110A SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 3.7W（Ta）, 68W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NVMFS5C450NLWFT3G
  仓库库存编号：NVMFS5C450NLWFT3G-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2100pF @ 20V,
• 无铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 110A SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 3.7W（Ta）, 68W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NVMFS5C450NLT1G
  仓库库存编号：NVMFS5C450NLT1G-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2100pF @ 20V,
• 无铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 110A SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 3.7W（Ta）, 68W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NVMFS5C450NLWFT1G
  仓库库存编号：NVMFS5C450NLWFT1G-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2100pF @ 20V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  40V DUAL AUTO N-CH POWER TRENCH
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 20A (Tc) 75W Surface Mount 8-PQFN (5x6)
  
  型号：FDWS9420_F085
  仓库库存编号：FDWS9420_F085-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2100pF @ 20V,
• 无铅
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• EPC
  TRANS GAN 40V 60A BUMPED DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 60A（Ta） 模具
  
  型号：EPC2024ENG
  仓库库存编号：917-EPC2024ENG-ND
  别名：917-EPC2024ENG
  EPC2024ENGRC3
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2100pF @ 20V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 50A（Tc） 47W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD088N04LGBTMA1
  仓库库存编号：IPD088N04LGBTMA1TR-ND
  别名：IPD088N04L G
  IPD088N04L G-ND
  SP000354798
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2100pF @ 20V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 50A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 50A（Tc） 47W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB093N04LGATMA1
  仓库库存编号：IPB093N04LGATMA1CT-ND
  别名：IPB093N04L GCT
  IPB093N04L GCT-ND
  IPB093N04LG
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2100pF @ 20V,
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