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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 40A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 40A(Tc) 3.75W(Ta),107W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SUM40N10-30-E3
仓库库存编号:
SUM40N10-30-E3CT-ND
别名:SUM40N10-30-E3CT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2400pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 47A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 47A(Tc) 3.75W(Ta),136W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SUM47N10-24L-E3
仓库库存编号:
SUM47N10-24L-E3CT-ND
别名:SUM47N10-24L-E3CT
SUM47N1024LE3
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2400pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 38.5A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100V 38.5A(Tc) 3.1W(Ta),89W(Tc) TO-220AB
型号:
SUP40N10-30-GE3
仓库库存编号:
SUP40N10-30-GE3-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2400pF @ 25V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 200V W-PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 20A(Ta) 30W(Tc) 8-WPAK
型号:
RJK2055DPA-00#J0
仓库库存编号:
RJK2055DPA-00#J0CT-ND
别名:RJK2055DPA-00#J0CT
RJK2055DPA00J0
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2400pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 40A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100V 40A(Tc) 3.75W(Ta),107W(Tc) TO-220AB
型号:
SUP40N10-30-E3
仓库库存编号:
SUP40N10-30-E3-ND
别名:SUP40N10-30-E3CT
SUP40N10-30-E3CT-ND
SUP40N1030E3
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2400pF @ 25V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 250V 17A TO3P
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 17A(Ta) 30W(Tc) 8-WPAK
型号:
RJK2555DPA-00#J0
仓库库存编号:
RJK2555DPA-00#J0-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2400pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 43A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3415S
仓库库存编号:
IRF3415S-ND
别名:*IRF3415S
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2400pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 43A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 150V 43A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) TO-262
型号:
IRF3415L
仓库库存编号:
IRF3415L-ND
别名:*IRF3415L
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2400pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 43A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3415STRR
仓库库存编号:
IRF3415STRR-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2400pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 42A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 75V 42A(Tc) 110W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU2407
仓库库存编号:
IRFU2407-ND
别名:*IRFU2407
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2400pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 42A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 42A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR2407TR
仓库库存编号:
IRFR2407TR-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2400pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 42A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 42A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR2407TRL
仓库库存编号:
IRFR2407TRL-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2400pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 42A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 42A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR2407TRR
仓库库存编号:
IRFR2407TRR-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2400pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 20.7A(Tc) 208W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP20N60C3HKSA1
仓库库存编号:
SPP20N60C3IN-ND
别名:SPP20N60C3
SPP20N60C3BKSA1
SPP20N60C3IN
SPP20N60C3X
SPP20N60C3XIN
SPP20N60C3XIN-ND
SPP20N60C3XK
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2400pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 650V 20.7A(Tc) 34.5W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
SPA20N60C3XKSA1
仓库库存编号:
SPA20N60C3IN-ND
别名:SP000013659
SPA20N60C3
SPA20N60C3IN
SPA20N60C3X
SPA20N60C3XTIN
SPA20N60C3XTIN-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2400pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 21A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 560V 21A(Tc) 208W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP21N50C3HKSA1
仓库库存编号:
SPP21N50C3HKSA1-ND
别名:SPP21N50C3
SPP21N50C3IN
SPP21N50C3IN-ND
SPP21N50C3X
SPP21N50C3XK
SPP21N50C3XTIN
SPP21N50C3XTIN-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2400pF @ 25V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 52A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 55V 52A(Tc) 116W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK9520-55,127
仓库库存编号:
BUK9520-55,127-ND
别名:934050400127
BUK9520-55
BUK9520-55-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2400pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 650V 20.7A(Tc) 208W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
SPI20N65C3XKSA1
仓库库存编号:
SPI20N65C3XKSA1-ND
别名:SP000014525
SP000681010
SPI20N65C3
SPI20N65C3-ND
SPI20N65C3IN
SPI20N65C3IN-ND
SPI20N65C3X
SPI20N65C3XK
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2400pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 650V 20.7A(Tc) 208W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP20N65C3HKSA1
仓库库存编号:
SPP20N65C3HKSA1-ND
别名:SP000014369
SPP20N65C3
SPP20N65C3-ND
SPP20N65C3IN
SPP20N65C3IN-ND
SPP20N65C3X
SPP20N65C3XK
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2400pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 650V 20.7A(Tc) 208W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
SPI20N60CFDHKSA1
仓库库存编号:
SPI20N60CFDHKSA1-ND
别名:SP000229995
SP000681008
SPI20N60CFD
SPI20N60CFD-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2400pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 42A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 42A(Tc) 110W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
AUIRFR2407
仓库库存编号:
AUIRFR2407-ND
别名:SP001520320
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2400pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 20.7A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 600V 20.7A(Tc) 208W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP20N60C3HKSA1
仓库库存编号:
SPP20N60C3HKSA1-ND
别名:SP000013527
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2400pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 650V 20.7A(Tc) 208W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
SPP20N60CFDHKSA1
仓库库存编号:
SPP20N60CFDHKSA1-ND
别名:SP000014475
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2400pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 20.7A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 600V 20.7A(Tc) 208W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
SPI20N60C3HKSA1
仓库库存编号:
SPI20N60C3HKSA1-ND
别名:SP000014453
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2400pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 21A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 500V 21A(Tc) 208W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
SPI21N50C3HKSA1
仓库库存编号:
SPI21N50C3HKSA1-ND
别名:SP000014463
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2400pF @ 25V,
无铅
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