规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4340pF @ 400V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 46A TO-263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 46A(Tc) 227W(Tc) PG-TO263
型号:
IPB65R045C7ATMA1
仓库库存编号:
IPB65R045C7ATMA1CT-ND
别名:IPB65R045C7ATMA1CT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4340pF @ 400V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 50A TO247-3
详细描述:通孔 N 沟道 50A(Tc) 227W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW60R040C7XKSA1
仓库库存编号:
IPW60R040C7XKSA1-ND
别名:SP001296190
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4340pF @ 400V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 46A TO-247-3
详细描述:通孔 N 沟道 46A(Tc) 227W(Tc) TO-247-3
型号:
IPW65R045C7FKSA1
仓库库存编号:
IPW65R045C7FKSA1-ND
别名:SP000929412
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4340pF @ 400V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 46A TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 46A(Tc) 227W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP65R045C7XKSA1
仓库库存编号:
IPP65R045C7XKSA1-ND
别名:SP000929422
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4340pF @ 400V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 46A TO247-4
详细描述:通孔 N 沟道 46A(Tc) 227W(Tc) PG-TO247
型号:
IPZ65R045C7XKSA1
仓库库存编号:
IPZ65R045C7XKSA1-ND
别名:SP001024004
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4340pF @ 400V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 50A TO247-4
详细描述:通孔 N 沟道 50A(Tc) 227W(Tc) PG-TO247-4
型号:
IPZ60R040C7XKSA1
仓库库存编号:
IPZ60R040C7XKSA1-ND
别名:SP001296204
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4340pF @ 400V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 50A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 50A(Tc) 227W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP60R040C7XKSA1
仓库库存编号:
IPP60R040C7XKSA1-ND
别名:SP001277604
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4340pF @ 400V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 50A(Tc) 227W(Tc) PG-TO263-3
型号:
IPB60R040C7ATMA1
仓库库存编号:
IPB60R040C7ATMA1-ND
别名:SP001277610
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4340pF @ 400V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 650V 18A(Tc) 35W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
IPA65R045C7XKSA1
仓库库存编号:
IPA65R045C7XKSA1-ND
别名:SP001080092
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4340pF @ 400V,
无铅
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