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• IXYS
  MOSFET P-CH 600V 10A TO-247AD
  详细描述：通孔 P 沟道 10A（Tc） 300W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH10P60
  仓库库存编号：IXTH10P60-ND
  别名：Q1152201
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4700pF @ 25V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 272W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK7C10-75AITE,118
  仓库库存编号：1727-7176-1-ND
  别名：1727-7176-1
  568-9661-1
  568-9661-1-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4700pF @ 25V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 75A（Tc） 272W（Tc） TO-220-5
  
  型号：BUK7909-75AIE,127
  仓库库存编号：1727-7225-ND
  别名：1727-7225
  568-9742-5
  568-9742-5-ND
  934057279127
  BUK7909-75AIE
  BUK7909-75AIE,127-ND
  BUK7909-75AIE-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4700pF @ 25V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 272W（Tc） SOT-426
  
  型号：BUK7109-75ATE,118
  仓库库存编号：568-9631-1-ND
  别名：568-9631-1
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4700pF @ 25V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 140A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 140A（Tc） 600W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT140N10P
  仓库库存编号：IXTT140N10P-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4700pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 14.5A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 14.5A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：FDS6673BZ_F085
  仓库库存编号：FDS6673BZ_F085CT-ND
  别名：FDS6673BZ_F085CT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4700pF @ 25V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 75A（Tc） 272W（Tc） TO-220-5
  
  型号：BUK7909-75ATE,127
  仓库库存编号：1727-7226-ND
  别名：1727-7226
  568-9743-5
  568-9743-5-ND
  934057280127
  BUK7909-75ATE
  BUK7909-75ATE,127-ND
  BUK7909-75ATE-ND
  BUK790975ATE127
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4700pF @ 25V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 160A POWERSO-10
  详细描述：表面贴装 N 沟道 160A（Tc） 210W（Tc） 10-PowerSO
  
  型号：STV160NF03LT4
  仓库库存编号：497-3252-1-ND
  别名：497-3252-1
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4700pF @ 25V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 60A SO8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 68W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SQJA02EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJA02EP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJA02EP-T1_GE3CT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4700pF @ 25V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 140A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 140A（Tc） 600W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ140N10P
  仓库库存编号：IXTQ140N10P-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4700pF @ 25V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 140A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 140A（Tc） 600W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH140N10P
  仓库库存编号：IXFH140N10P-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4700pF @ 25V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 140A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 140A（Tc） 600W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT140N10P
  仓库库存编号：IXFT140N10P-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4700pF @ 25V,
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• IXYS
  MOSFET P-CH 500V 11A TO-247AD
  详细描述：通孔 P 沟道 500V 11A（Tc） 300W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH11P50
  仓库库存编号：IXTH11P50-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4700pF @ 25V,
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• IXYS
  MOSFET P-CH 500V 11A TO-268
  详细描述：表面贴装 P 沟道 500V 11A（Tc） 300W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT11P50
  仓库库存编号：IXTT11P50-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4700pF @ 25V,
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• IXYS
  MOSFET P-CH 600V 10A TO-268
  详细描述：表面贴装 P 沟道 600V 10A（Tc） 300W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT10P60
  仓库库存编号：IXTT10P60-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4700pF @ 25V,
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• IXYS
  MOSFET P-CH 500V 10A TO-247AD
  详细描述：通孔 P 沟道 500V 10A（Tc） 300W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH10P50
  仓库库存编号：IXTH10P50-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4700pF @ 25V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 30A TO-247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 30A（Tc） 500W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH30N60Q
  仓库库存编号：IXFH30N60Q-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4700pF @ 25V,
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  MOSFET N-CH 600V 30A TO-268(D3)
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 30A（Tc） 500W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT30N60Q
  仓库库存编号：IXFT30N60Q-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4700pF @ 25V,
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• IXYS
  MOSFET P-CH 500V 10A TO-268
  详细描述：表面贴装 P 沟道 500V 10A（Tc） 300W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT10P50
  仓库库存编号：IXTT10P50-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4700pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 100A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 75V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP100N08S207AKSA1
  仓库库存编号：IPP100N08S207AKSA1-ND
  别名：IPP100N08S2-07
  IPP100N08S2-07-ND
  SP000219005
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4700pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 80A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 75V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI80N08S207AKSA1
  仓库库存编号：IPI80N08S207AKSA1-ND
  别名：IPI80N08S2-07
  IPI80N08S2-07-ND
  SP000219043
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4700pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB80N08S207ATMA1
  仓库库存编号：IPB80N08S207ATMA1TR-ND
  别名：IPB80N08S2-07
  IPB80N08S2-07-ND
  SP000219048
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4700pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB100N08S207ATMA1
  仓库库存编号：IPB100N08S207ATMA1TR-ND
  别名：IPB100N08S2-07
  IPB100N08S2-07-ND
  SP000219044
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4700pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 75V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP80N08S207AKSA1
  仓库库存编号：IPP80N08S207AKSA1-ND
  别名：IPP80N08S2-07
  IPP80N08S2-07-ND
  SP000219040
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4700pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 100A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 75V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI100N08S207AKSA1
  仓库库存编号：IPI100N08S207AKSA1-ND
  别名：IPI100N08S2-07
  IPI100N08S2-07-ND
  SP000219041
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4700pF @ 25V,
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