规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1660pF @ 25V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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IXYS
MOSFET N-CH 2500V 1.5A TO-268HV
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.5A(Tc) 250W(Tc) TO-268
型号:
IXTT1N250HV
仓库库存编号:
IXTT1N250HV-ND
别名:628949
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1660pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 15A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 15A(Tc) 156W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP15N60C3XKSA1
仓库库存编号:
SPP15N60C3XKSA1-ND
别名:SP000681050
SPP15N60C3
SPP15N60C3-ND
SPP15N60C3IN
SPP15N60C3IN-ND
SPP15N60C3X
SPP15N60C3XK
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1660pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 15A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 15A(Tc) 156W(Tc) PG-TO247-3
型号:
SPW15N60C3
仓库库存编号:
SPW15N60C3IN-ND
别名:SP000014530
SPW15N60C3-ND
SPW15N60C3FKSA1
SPW15N60C3IN
SPW15N60C3X
SPW15N60C3XK
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1660pF @ 25V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 15A TO-220FM
详细描述:通孔 N 沟道 15A(Ta) 50W(Tc) TO-220FM
型号:
R6015FNX
仓库库存编号:
R6015FNX-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1660pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 15A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 15A(Tc) 34W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
SPA15N60C3XKSA1
仓库库存编号:
SPA15N60C3XKSA1-ND
别名:SP000216325
SPA15N60C3
SPA15N60C3IN
SPA15N60C3IN-ND
SPA15N60C3XK
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1660pF @ 25V,
无铅
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IXYS
850V/20A ULTRA JUNCTION X-CLASS
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Tc) 540W(Tc) TO-220AB
型号:
IXFP20N85X
仓库库存编号:
IXFP20N85X-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1660pF @ 25V,
无铅
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IXYS
850V/20A ULTRA JUNCTION X-CLASS
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Tc) 540W(Tc) TO-263(D2Pak-HV)
型号:
IXFA20N85XHV
仓库库存编号:
IXFA20N85XHV-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1660pF @ 25V,
无铅
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IXYS
850V/20A ULTRA JUNCTION X-CLASS
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Tc) 540W(Tc) TO-247
型号:
IXFH20N85X
仓库库存编号:
IXFH20N85X-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1660pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 850V 9.5A TO247-3
详细描述:通孔 N 沟道 9.5A(Tc) 110W(Tc) TO-247(IXFJ)
型号:
IXFJ20N85X
仓库库存编号:
IXFJ20N85X-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1660pF @ 25V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 15A LPT
详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Tc) 50W(Tc) LPTS
型号:
R6015FNJTL
仓库库存编号:
R6015FNJTLCT-ND
别名:R6015FNJTLCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1660pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 60A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 60A(Tc) 110W(Tc) TO-220AB
型号:
STP60NF06
仓库库存编号:
497-2779-5-ND
别名:497-2779-5
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1660pF @ 25V,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 600V 10A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 10A(Tc) 52W(Tc) TO-220F
型号:
GP2M010A060F
仓库库存编号:
1560-1206-5-ND
别名:1560-1206-1
1560-1206-1-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1660pF @ 25V,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 600V 10A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 10A(Tc) 198W(Tc) TO-220
型号:
GP2M010A060H
仓库库存编号:
GP2M010A060H-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1660pF @ 25V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 25V 75A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 25V 75A(Tc) 115W(Tc) TO-220AB
型号:
PHP83N03LT,127
仓库库存编号:
PHP83N03LT,127-ND
别名:934056570127
PHP83N03LT
PHP83N03LT-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1660pF @ 25V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 15A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 650V 15A(Tc) 156W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
SPI15N60C3HKSA1
仓库库存编号:
SPI15N60C3HKSA1-ND
别名:SP000014528
SP000680998
SPI15N60C3
SPI15N60C3-ND
SPI15N60C3IN
SPI15N60C3IN-ND
SPI15N60C3X
SPI15N60C3XK
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1660pF @ 25V,
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