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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 1.3A SSOT-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.3A（Ta） 500mW（Ta） SuperSOT-3
  
  型号：FDN352AP
  仓库库存编号：FDN352APCT-ND
  别名：FDN352APCT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 150pF @ 15V,
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  无铅
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 20V 0.9A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 900mA（Ta） 625mW（Ta） SOT-23-3
  
  型号：ZXM61P02FTA
  仓库库存编号：ZXM61P02FCT-ND
  别名：ZXM61P02F
  ZXM61P02FCT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 150pF @ 15V,
• 无铅
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• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 25V 30V X2-DSN1006
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.2A（Ta） 1.38W X2-DFN1006-3
  
  型号：DMN3110LCP3-7
  仓库库存编号：DMN3110LCP3-7-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 150pF @ 15V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 20V 0.9A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 900mA（Ta） 625mW（Ta） SOT-23-3
  
  型号：ZXM61P02FTC
  仓库库存编号：ZXM61P02FTC-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 150pF @ 15V,
• 无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 0.32A TO-205
  详细描述：P 沟道 30V 320mA（Ta）
  
  型号：VP0300B-E3
  仓库库存编号：VP0300B-E3-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 150pF @ 15V,
• 无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 4P-CH 30V 0.6A 14DIP
  详细描述：Mosfet Array 4 P-Channel 30V 600mA 2W
  
  型号：VQ2001P
  仓库库存编号：VQ2001P-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 150pF @ 15V,
• 含铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 4P-CH 30V 0.6A 14DIP
  详细描述：Mosfet Array 4 P-Channel 30V 600mA 2W Through Hole 14-DIP
  
  型号：VQ2001P-2
  仓库库存编号：VQ2001P-2-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 150pF @ 15V,
• 含铅
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