以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 280MA SOT-323
  详细描述：表面贴装 N 沟道 280mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT323-3
  
  型号：BSS138WH6327XTSA1
  仓库库存编号：BSS138WH6327XTSA1CT-ND
  别名：BSS138WH6327XTSA1CT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 43pF @ 25V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Central Semiconductor Corp
  MOSFET N-CH 30V 0.45A SOT883
  详细描述：表面贴装 N 沟道 450mA（Ta） 100mW（Ta） SOT-883VL
  
  型号：CEDM7004VL TR
  仓库库存编号：CEDM7004VL CT-ND
  别名：CEDM7004VL CT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 43pF @ 25V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Central Semiconductor Corp
  MOSFET N-CH 8.0V 3.56A SOT-883
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.78A（Ta） 100mW（Ta） SOT-883
  
  型号：CEDM7004 TR
  仓库库存编号：CEDM7004 CT-ND
  别名：CEDM7004 CT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 43pF @ 25V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH SOT883
  详细描述：表面贴装 N 沟道 480mA（Ta） 350mW（Ta） DFN1006-3
  
  型号：PMZ1000UN,315
  仓库库存编号：1727-5860-1-ND
  别名：1727-5860-1
  568-7439-1
  568-7439-1-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 43pF @ 25V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 1.78A SOT883
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.78A（Tc） 2.5W（Tc） DFN1006-3
  
  型号：PMZ390UN,315
  仓库库存编号：1727-5861-1-ND
  别名：1727-5861-1
  568-7442-1
  568-7442-1-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 43pF @ 25V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 280MA SOT323
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 280mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT323-3
  
  型号：BSS138WH6433XTMA1
  仓库库存编号：BSS138WH6433XTMA1-ND
  别名：SP000917558
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 43pF @ 25V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 350MA TO-92
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 350mA（Tc） 1W（Tc） TO-92-3
  
  型号：2N7000
  仓库库存编号：497-3110-ND
  别名：497-3110
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 43pF @ 25V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 0.2A SOT-23-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 200mA（Tc） 350mW（Tc） SOT-23-3
  
  型号：2N7002
  仓库库存编号：497-3111-1-ND
  别名：497-3111-1
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 43pF @ 25V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 830MA SOT323
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 830mA（Ta） 560mW（Tc） SOT-323-3
  
  型号：PMF400UN,115
  仓库库存编号：568-3244-1-ND
  别名：568-3244-1
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 43pF @ 25V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• NXP USA Inc.
  MOSFET 2N-CH 30V 0.71A 6TSSOP
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 710mA 410mW Surface Mount 6-TSSOP
  
  型号：PMGD400UN,115
  仓库库存编号：568-2368-1-ND
  别名：568-2368-1
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 43pF @ 25V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 0.8A SOT416
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 800mA（Tc） 530mW（Tc） SC-75
  
  型号：PMR400UN,115
  仓库库存编号：568-7438-1-ND
  别名：568-7438-1
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 43pF @ 25V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 280MA SOT-323
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 280mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT323-3
  
  型号：BSS138W E6433
  仓库库存编号：BSS138W E6433-ND
  别名：BSS138WE6433
  SP000014284
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 43pF @ 25V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 280MA SOT-323
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 280mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT323-3
  
  型号：BSS138W E6327
  仓库库存编号：BSS138WE6327INCT-ND
  别名：BSS138WE6327
  BSS138WE6327INCT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 43pF @ 25V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 280MA SOT-323
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 280mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT323-3
  
  型号：BSS138W L6327
  仓库库存编号：BSS138W L6327-ND
  别名：SP000245411
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 43pF @ 25V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 280MA SOT-323
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 280mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT323-3
  
  型号：BSS138W L6433
  仓库库存编号：BSS138W L6433-ND
  别名：SP000245412
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 43pF @ 25V,
• 无铅
• 搜索