规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 535pF @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 2.2A SC70-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.2A(Ta) 420mW(Ta) SC-70-6
型号:
FDG410NZ
仓库库存编号:
FDG410NZCT-ND
别名:FDG410NZCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 535pF @ 10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 5.8A(Tc) 1.56W(Tc) SOT-23
型号:
TSM250N02CX RFG
仓库库存编号:
TSM250N02CX RFGTR-ND
别名:TSM250N02CX RFGTR
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 535pF @ 10V,
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 5.8A(Tc) 1.56W(Tc) SOT-23
型号:
TSM250N02CX RFG
仓库库存编号:
TSM250N02CX RFGCT-ND
别名:TSM250N02CX RFGCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 535pF @ 10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 5.8A(Tc) 1.56W(Tc) SOT-23
型号:
TSM250N02CX RFG
仓库库存编号:
TSM250N02CX RFGDKR-ND
别名:TSM250N02CX RFGDKR
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 535pF @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 9A SC75-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 9A(Tc) 2.4W(Ta),13W(Tc) PowerPAK? SC-75-6L 单
型号:
SIB412DK-T1-E3
仓库库存编号:
SIB412DK-T1-E3CT-ND
别名:SIB412DK-T1-E3CT
SIB412DKT1E3
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 535pF @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 9A SC75-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 9A(Tc) 2.4W(Ta),13W(Tc) PowerPAK? SC-75-6L 单
型号:
SIB412DK-T1-GE3
仓库库存编号:
SIB412DK-T1-GE3-ND
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