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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 100V 360MA SC-59-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 360mA（Ta） 500mW（Tc） PG-SC-59
  
  型号：BSR316PH6327XTSA1
  仓库库存编号：BSR316PH6327XTSA1CT-ND
  别名：BSR316PH6327XTSA1CT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 165pF @ 25V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 400V 3A TO92
  详细描述：通孔 N 沟道 3A（Ta） 2.54W（Tc） TO-92MOD
  
  型号：RJK4002DJE-00#Z0
  仓库库存编号：RJK4002DJE-00#Z0-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 165pF @ 25V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 400V 3A MP3A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Ta） 30W（Tc） MP-3A
  
  型号：RJK4002DPD-00#J2
  仓库库存编号：RJK4002DPD-00#J2-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 165pF @ 25V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 600V 2A TO251
  详细描述：通孔 N 沟道 2A（Ta） 30W（Tc） TO-251
  
  型号：RJK6002DPH-E0#T2
  仓库库存编号：RJK6002DPH-E0#T2-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 165pF @ 25V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 400V 3A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 400V 3A（Ta） 20W（Tc） TO-220FL
  
  型号：RJK4002DPP-M0#T2
  仓库库存编号：RJK4002DPP-M0#T2-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 165pF @ 25V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 600V 2A MP3A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 2A（Ta） 30W（Tc） MP-3A
  
  型号：RJK6002DPD-00#J2
  仓库库存编号：RJK6002DPD-00#J2-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 165pF @ 25V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 500V 2.4A TO92
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 2.4A（Ta） 30W（Tc） MP-3A
  
  型号：RJK5002DPD-00#J2
  仓库库存编号：RJK5002DPD-00#J2-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 165pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 100V 0.36A SC-59
  详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 360mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SC-59
  
  型号：BSR316PL6327HTSA1
  仓库库存编号：BSR316PL6327HTSA1TR-ND
  别名：BSR316P L6327
  BSR316P L6327-ND
  SP000265407
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 165pF @ 25V,
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